1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.阵列基板上的呈阵列设置有薄膜晶体管(thin film transistor，tft)，tft与扫描线和数据线连接，扫描线和数据线通过扇出走线与驱动芯片连接；驱动芯片通过扇出走线提供薄膜晶体管驱动液晶转动需要的驱动电压。
3.但是，目前扇出走线存在一部分裸露在外的情况，在对显示基板进行组装作业时，待组装物、组装设备或者组装人员可能会接触到裸露的扇出走线，引发静电放电(electrostaticsdischarge，esd)的现象；静电放电现象容易造成瞬间电性过压(electricaloverstress，eos)烧伤或熔断扇出走线，影响lcd显示器的产品质量。


技术实现要素：

4.本技术提供的阵列基板、显示面板及显示装置，能够通过第一金属走线的并联线，即第二金属走线将瞬间电性过压释放掉，从而能够保护第一金属走线不被静电熔断，保证显示器的产品质量。
5.根据本技术的第一个方面，提供了阵列基板，包括：显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述显示区包括薄膜晶体管阵列；所述周边区包括第一金属走线，所述第一金属走线被配置为连接驱动芯片和所述薄膜晶体管阵列；所述周边区还包括：
6.第二金属走线，所述第二金属走线的两端分别连接于所述第一金属走线上的不同位置；所述第二金属走线的截面积与所述第一金属走线的截面积不同。
7.在一种可能的设计方式中，所述第二金属走线的截面积小于所述第一金属走线的截面积。
8.在一种可能的设计方式中，所述第二金属走线的截面积为所述第一金属走线截面积的20％～80％。
9.在一种可能的设计方式中，所述第二金属走线包括多条，多条所述第二金属走线沿所述第一金属走线的走线方向间隔排布；
10.和/或，多条所述第二金属走线沿第一方向间隔排布于所述第一金属走线的一侧，所述第一方向垂直于所述第一金属走线的走线方向；
11.和/或，多条所述第二金属走线排布于所述第一金属走线相对的两侧。
12.在一种可能的设计方式中，所述周边区还包括用于设置封框胶的封框胶设置区，所述第二金属走线位于所述封框胶远离所述显示区的一侧。
13.在一种可能的设计方式中，所述周边区还包括用于与所述驱动芯片电连接的绑定衬垫，所述绑定衬垫位于所述封框胶设置区远离所述显示区的一侧；
14.所述第一金属走线连接于所述薄膜晶体管阵列和所述绑定衬垫之间，所述第二金属走线位于所述封框胶设置区与所述绑定衬垫之间的区域。
15.在一种可能的设计方式中，所述周边区还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述封框胶设置区与所述绑定衬垫之间，且将所述第一金属走线和所述第二金属走线覆盖。
16.在一种可能的设计方式中，所述第二金属走线为并联于所述第一金属走线一侧的折弯线，所述折弯线的弯折处为圆弧过渡。
17.根据本技术的第二个方面，提供了显示面板，包括彩膜基板、液晶层和本技术第一个方面任一可能设计方式所提供的阵列基板，所述阵列基板和所述彩膜基板对盒设置，所述液晶层设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
18.根据本技术的第三个方面，提供了显示装置，包括背光模组、壳体和本技术的第二个方面提供的显示面板，所述壳体与所述显示面板固接。
19.本技术实施例通过在与薄膜晶体管阵列相连接的第一金属走线上连接第二金属走线，第二金属走线设于位于显示区外围的周边区，并将第二金属走线的截面积设置成与第一金属走线的截面积不同；这样，在发生静电放电现象，出现瞬间电性过压的情况时，瞬间电性过压仅会将第一金属走线和第二金属走线中的一条烧伤或熔断，从而将静电电荷释放掉；能够有效保护第一金属走线和第二金属走线中的另一条不被静电烧伤或熔断，保证驱动芯片与薄膜晶体管的正常通信，有效保证显示器的产品质量。
20.本技术的构造以及它的其他目的及有益效果将会通过结合附图进行详细说明，以保证对优选实施例的描述更加明显易懂。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1是本技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图；
23.图2是图1中a处的局部放大视图；
24.图3是本技术实施例一提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的另一种布局的放大视图；
25.图4是本技术实施例二提供的阵列基板的结构示意图；
26.图5是本技术实施例三提供的阵列基板的结构示意图；
27.图6是本技术实施例四提供的阵列基板的第一种结构示意图；
28.图7是本技术实施例四提供的阵列基板的第二种结构示意图；
29.图8是本技术实施例五提供的阵列基板的结构示意图；
30.图9是图8中b处的局部放大视图；
31.图10是本技术实施例六提供的阵列基板的结构示意图；
32.图11是图10中c处的局部放大视图；
33.图12是本技术实施例七提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的布局放大视图；
34.图13是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第一种布局放大视图；
35.图14是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第二种布局放大视图；
36.图15是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第三种布局放大视图；
37.图16是本技术实施例九提供的显示面板的结构示意图；
38.图17是沿图16中d-d线的剖视图；
39.图18是本技术实施例十提供的显示装置的结构示意图。
40.附图标记说明：
41.1-显示面板；2-壳体；3-电路板；4-柔性电路板；
42.10-阵列基板；20-彩膜基板；30-液晶层；
43.11-显示区；12-周边区；41-驱动芯片；
44.121-第一金属走线；122-第二金属走线；123-封框胶设置区；124-绑定衬垫；125-绝缘层。
具体实施方式
45.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
46.在本技术实施例的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
47.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
48.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
49.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“内”、“外”、“上”、“底”、“前”、“后”等指示的方位或者位置关系(若有的话)为基于附图1所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
50.实施例一
51.参照图1所示，图1是本技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图。阵列基板10
包括：显示区11和位于显示区11外围的周边区12，显示区11包括薄膜晶体管阵列(图中未示出)；周边区12包括第一金属走线121，第一金属走线121被配置为连接驱动芯片和薄膜晶体管阵列。
52.具体的，本技术实施例中，驱动芯片可以是设置在柔性电路板上，驱动芯片上具有多个引脚；多个引脚通过第一金属走线121与显示区11的扫描线或者数据线相连接，从而为薄膜晶体管(thin film transistor，tft)阵列提供驱动液晶转动、扭转或者旋转的驱动电压。
53.本领域技术人员能够理解，从驱动芯片引脚引出的第一金属走线121呈扇形排布，并分别与数据线或扫描线相连接，因此，第一金属走线121的设置区域被称为扇出区。
54.可以理解的是，为方便对电路板进行固定，阵列基板10上具有绑定区(bonding pad)，在绑定区可以对电路板进行固定，例如通过异性导电胶进行粘贴。在一种具体实现方式中，为方便第一金属走线121与驱动芯片的引脚进行连接，可以通过柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)连接驱动芯片的引脚和第一金属走线121，这样，也能够方便对柔性电路板进行弯折。
55.可以理解的是，本技术实施例中，阵列基板10可以是利用透明玻璃作为基板材料，并在透明玻璃基板上分别沉积或涂布曝光显影等方式形成其他功能层所形成。例如，在透明玻璃基板上通过化学沉积、激光蚀刻等方式形成缓冲层、有源层、绝缘层、源极、漏极、绝缘层、栅极以及填平层等。
56.在一些可能的示例中，阵列基板10上还可以形成有色阻单元，每个色阻单元具体可以是红色色阻(red，r)、蓝色色阻(blue，b)、绿色色阻(green，g)，三种不同颜色的色阻。rgb三种色阻可以间隔设置。
57.需要说明的是，在一些具体示例中，阵列基板10上还可以形成有配向膜和偏光片。
58.参照图1和图2所示，图2是图1中a处的局部放大视图，本技术实施例中，周边区12，还包括：第二金属走线122，第二金属走线122的两端分别连接于第一金属走线121上的不同位置。
59.具体的，本技术实施例中，第二金属走线122的材料可以与第一金属走线121相同，例如采用具有相同电导率的金属材料形成第二金属走线122。在一些可选示例中，第二金属走线122也可以采用电导率高于第一金属走线121的材料制成。
60.其中，参照图2所示，第二金属走线122的两端连接在第一金属走线121上，并在第一金属走线121的一侧折弯，从而形成第一金属走线121上的并联线路。
61.在本技术实施例中，第二金属走线122的截面积与第一金属走线121的截面积不同。
62.例如，可以是第二金属走线122的截面积大于第一金属走线121的截面积，也可以是第二金属走线122的截面积小于第一金属走线121的截面积。
63.这样，第一金属走线121和第二金属走线122具有不同的截面积，在发生静电放电esd现象时，由于第一金属走线121和第二金属走线122具有不同的电阻，瞬间电性过压eos能够产生不同的热量，从而使得第一金属走线121和第二金属走线122的其中一条被产生的热量熔断，将静电电能释放，能够有效保护第一金属走线121和第二金属走线122中的另一条，保证驱动芯片与tft的正常连通，保证了信号的传递。
64.可以理解的是，本技术实施例中，第一金属走线121与第二金属走线122可以是位于同层的，在具体设置时，可以在阵列基板10上通过沉积和蚀刻的方式同时形成第一金属走线121和第二金属走线122；并在进行蚀刻时，保留第一金属走线121和第二金属走线122的宽度不同，即可形成截面积不同的第一金属走线121和第二金属走线122，能够方便第一金属走线121和第二金属走线122的设置，节省工艺步骤。
65.本技术实施例通过在与薄膜晶体管阵列相连接的第一金属走线121上连接第二金属走线122，第二金属走线122设于位于显示区外围的周边区12，并将第二金属走线122的截面积设置成与第一金属走线121的截面积不同；这样，在发生静电放电现象，出现瞬间电性过压的情况时，瞬间电性过压仅会将第一金属走线121和第二金属走线122中的一条烧伤或熔断，从而将静电电荷释放掉；能够有效保护第一金属走线121和第二金属走线122中的另一条不被静电烧伤或熔断，保证驱动芯片与薄膜晶体管的正常通信，有效保证显示器的产品质量。
66.在本技术的一种实施例中，第二金属走线122的截面积小于第一金属走线121的截面积。
67.这样，能够便于对第二金属走线122的布局排布，能够保证第二金属走线122具有足够的排布空间；另外，不需要对第一金属走线121的排布作出改变，能够节省第一金属走线121和第二金属走线122的制作工艺。
68.在本技术的一种实施例中，第二金属走线122的截面积为第一金属走线121截面积的20％～80％。
69.在一种具体示例中，第二金属走线122的截面积可以为第一金属走线121截面积的33％，即第二金属走线122的粗细比第一金属走线121更细三分之二，整体截面积可以为第一金属走线121的三分之一。
70.这里需要说明的是，本技术涉及的数值和数值范围为近似值，受制造工艺的影响，可能会存在一定范围的误差，这部分误差本领域技术人员可以认为忽略不计。
71.在本技术的一种实施例中，参照图3所示，图3是本技术实施例一提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的另一种布局的放大视图。在具体对第一金属走线121和第二金属走线122进行布局设计时，也可以是对第一金属走线121进行折弯，形成折弯段；然后将第二金属走线122的两端连接在折弯段的两端，从而形成第一金属走线121和第二金属走线122的走线布局；其中，折弯段的折弯形状可以为矩形。
72.在具体设置时，可以是在对沉积在阵列基板10上的金属层进行蚀刻时，将第一金属走线121保留为折弯型。这样，能够便于第二金属走线122的排线布局。
73.实施例二
74.参照图4所示，图4是本技术实施例二提供的阵列基板的结构示意图。本技术实施例二与前述实施例的不同之处在于，周边区12还包括用于设置封框胶的封框胶设置区123，第二金属走线122位于封框胶设置区123远离显示区11的一侧。
75.在具体实施中，通常位于封框胶远离显示区域11一侧的第一金属走线121容易被静电击伤、烧蚀或熔断；而位于封框胶的第一金属走线121由于被封框胶覆盖，不容易受到静电的影响。因此，本技术实施例中，将第二金属走线122设于封框胶设置区123远离或者背离显示区11的一侧；这样，能够对位于封框胶设置区123远离或者背离显示区11一侧的第一
金属走线121起到更好的保护作用，能够提高显示器的产品质量。
76.实施例三
77.根据本技术第三个方面实施例，参照图5所示，图5是本技术实施例三提供的阵列基板的结构示意图。与前述实施例的不同之处在于，本实施例中，周边区12还包括用于与驱动芯片电连接的绑定衬垫124，绑定衬垫124位于封框胶设置区123远离显示区11的一侧；
78.第一金属走线121连接于薄膜晶体管阵列和绑定衬垫124之间，第二金属走线122位于封框胶设置区123与绑定衬垫124之间的区域内。
79.这样，能够方便第二金属走线122的设置，能够避免第二金属走线122与绑定衬垫124相互影响的情况发生，能够便于驱动芯片的设置。
80.实施例四
81.参照图6和图7所示，图6是本技术实施例四提供的阵列基板的第一种结构示意图，图7是本技术实施例四提供的阵列基板的第二种结构示意图。与前述实施例的不同之处在于，本技术实施例中，周边区还包括绝缘层125，绝缘层125设置于封框胶设置区123与绑定衬垫124之间，且将第一金属走线121覆盖，和/或将第一金属走线121和第二金属走线122覆盖。
82.具体的，参照图6所示，由于在涂覆绝缘层125时，为避免对封框胶设置区123造成影响，通常在绝缘层125与封框胶设置区123之间留有一定的间隙，第二金属走线122可以设置在该间隙处。
83.在另一些具体设置中，参照图7所示，也可以将第二金属走线122的设置位置向背离显示区11的一侧移动，从而使得绝缘层125覆盖住第一金属走线121和第二金属走线122。
84.具体的，本技术实施例中，绝缘层125可以采用塔菲(tuffy)胶，tuffy胶具体可以涂覆在阵列基板10对应于彩膜基板的边缘位置处，这样，能够避免水汽等进入显示面板1；另外，本技术实施例中，绝缘层将第一金属走线121和第二金属走线122覆盖，能够避免第一金属走线121和第二金属走线122被水汽沾湿发生短路的情况，提高了产品质量。
85.实施例五
86.参照图8和图9所示，图8是本技术实施例五提供的阵列基板的结构示意图，图9是图8中b处的局部放大视图。本技术实施例五与前述实施例的不同之处在于，第二金属走线122为并联于第一金属走线121一侧的折弯线，且第二金属走线122的弯折形状为三角形。
87.具体的，参照图9所示，本技术实施例中，第二金属走线122可以包括相互连接的两段金属线，两段金属线分别连接在第一金属走线121上的不同位置处，从而，两段金属线与第一金属走线121共同构成三角形结构布局。这样，能够节省第二金属线122的用料，节省材料，降低成本。
88.需要说明的是，本技术实施例中，折弯线的弯折处为圆弧过渡。即相互连接的两段金属线的连接过渡处为圆弧形。这样，通过圆弧过渡连接两段金属线，能够避免静电集中于过渡的尖角处，避免尖角处的集中放电对阵列基板10造成影响，能够提升产品质量。
89.实施例六
90.参照图10和图11所示，图10是本技术实施例六提供的阵列基板的结构示意图，图11是图10中c处的局部放大视图。与前述实施例的不同之处在于，本实施例中，第二金属走线122为圆弧形走线。
91.例如，参照图12所示，第二金属走线122可以为一半圆弧型的走线，半圆弧型走线的两端分别与第一金属走线121相连接。其中，圆弧型走线的形状可以是半圆、椭圆或者其他弧线，本技术实施例对此不做限定。这样，能够避免局部尖端放电，提升产品质量。
92.实施例七
93.参照图12所示，图12是本技术实施例七提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的布局放大视图。与前述实施例的不同之处在于，本实施例中，第二金属走线122为折弯成多边形的折弯线，例如可以是矩形、梯形或者其他不规则的多边形。
94.可以理解的是，在第二金属走线122折弯成多边形的折弯线时，每一个折弯的弯角处均为弧形过度。
95.这样，能够根据不同的阵列基板10的具体情况对第二金属走线122的布线方式进行设计，提高了对阵列基板10的适应性。
96.实施例八
97.参照图13-图15所示，图13是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第一种布局放大视图，图14是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第二种布局放大视图，图15是本技术实施例八提供的阵列基板上第一金属走线和第二金属走线的第三种布局放大视图。本实施例与前述实施例的不同之处在于，第二金属走线122包括多条，多条第二金属走线122分别并联于第一金属走线121上。
98.这样，采用多条第二金属走线122，可以对第一金属走线121进行多次保护，例如在产品装配、转运等过程中可能存在多次静电放电esd现象，从而能够进行多次保护，有效提高显示器的产品质量。
99.在本技术的一种实施例中，参照图13所示，第二金属走线122可以沿第一金属走线121的走向间隔排布设置。
100.为便于第二金属走线122的排布，在一些可能的示例中，参照图14所示，多条第二金属走线122也可以是沿第一方向间隔排布于第一金属走线121的一侧，其中，第一方向是指垂直于第一金属走线121的走线方向，例如图14中示出的x方向；即呈类似于同心环排布于第一金属走线121的一侧。这样，能够减小第二金属走线122的布线空间，方便对第二金属走线122进行布线。
101.在一种具体示例中，参照图15所示，多条第二金属走线122也可以是排布于第一金属走线121相对的两侧，或者类似于同心环排布与第一金属走线121的一侧。
102.当然，本领域技术人员能够理解，第二金属走线122的排布方式也可以是上述多种排布方式的结合，例如图15示出的，同时采用同心环排布方式和排布于第一金属走线121的两侧。这样，在有限的空间内，可以增加第二金属走线122的数量，能够增加保护次数。
103.在一种具体示例中，第二金属走线122为2～4条。这样，第二金属走线122不会占用过大的空间，能够便于第二金属走线122的排布。
104.实施例九
105.参照图16和图17所示，图16是本技术实施例九提供的显示面板的结构示意图，图17是沿图16中d-d线的剖视图。本实施例提供了显示面板1，包括彩膜基板20、液晶层30和本技术实施例一至实施例八任一可能的实施方式所提供的阵列基板10，阵列基板10和彩膜基板20对盒设置，液晶层30设于阵列基板10和彩膜基板20之间。
106.具体的，彩膜基板20与阵列基板10通过封框胶(图中未示出)连接，彩膜基板20和阵列基板10之间设有液晶层30。
107.具体的，彩膜基板20可以是利用透明玻璃作为基板材料，并在透明玻璃基板上分别沉积或涂布曝光显影等方式形成其他功能层所形成。例如，在彩膜基板20上可以通过涂布曝光的方式形成用于挡光的黑色矩阵以及用于滤光用的色阻层等。当然，在彩膜基板20上还可以通过沉积的方式形成透明导电层。
108.其中，黑色矩阵可以是不透光黑色或者深色材料制成。
109.可以理解的是，色阻层可以包括色阻单元，每个色阻单元具体可以是红色色阻(red，r)、蓝色色阻(blue，b)、绿色色阻(green，g)，三种不同颜色的色阻。rgb三种色阻可以间隔设置。具体可以在黑色矩阵上开孔，rgb色阻分别设置在开孔内。这样，在光线通过rgb色阻后，能够组合成不同颜色的光，实现彩色显示效果。
110.其中，透明导电层可以是利用磁控溅射的方式在彩膜基板20上镀上的一层氧化铟锡(indium tin oxide，ito)。
111.可以理解的是，彩膜基板20上还可以形成有配向膜和偏光片。
112.实施例十
113.参照图18所示，图18是本技术实施例十提供的显示装置的结构示意图。提供了显示装置，包括背光模组、壳体2和本技术实施例提供的的显示面板1，壳体2与显示面板1固接。
114.其中，显示装置还包括电路板3，电路板3可以是集成电路板或者印制电路板(printed circuit boards，pcb)板，其中，电路板3通过柔性电路板4与显示面板1电连接；柔性电路板4上设有驱动芯片41，驱动芯片41的引脚与第一金属走线相连接。
115.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。