1.本技术涉及显示面板
技术领域：
：，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术：
：：2.随着显示技术的不断发展，对于窄边框显示装置的需求不断上升，gdl(gatedriverless，阵列基板上栅驱动集成技术)也应运而生。3.目前，液晶显示面板具有显示区域、显示区域外围的栅极分布区(gdl对应的区域)和显示区域外围的框胶涂布区，框胶涂布区中的胶框用于对显示面板中的液晶进行密封。在窄边框显示装置中，框胶涂布区会与栅极分布区重合，即框胶涂布区中的胶框可能会部分覆盖到栅极分布区，使得胶框与栅极分布区中的像素电极层直接接触。框胶中的水汽易通过像素电极层腐蚀面板内的金属层，存在显示面板的防水汽腐蚀性较差，导致显示面板产生横纹等不良、显示效果较差。技术实现要素：4.本技术的主要目的是提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，通过在像素电极层表面设置保护膜层，使得胶框和像素电极层之间具有保护膜层，避免胶框与像素电极层直接接触。旨在解决现有显示面板的防水汽腐蚀性较差，导致显示面板产生横纹等不良、显示效果较差的技术问题。5.为实现上述目的，本技术提出一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括：保护膜层；6.所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；7.所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；8.所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；9.所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。10.本技术的一种实施方式，所述显示面板还具有浅孔；11.所述浅孔形成于所述钝化层中，所述浅孔将所述第二金属层暴露，用于让所述第二金属层和所述像素电极层连接。12.本技术的一种实施方式，所述显示面板还具有深孔；13.所述深孔形成于所述钝化层和所述绝缘层中，所述深孔将所述第一金属层暴露，用于让所述第一金属层和所述像素电极层连接。14.本技术的一种实施方式，15.所述像素电极层通过所述浅孔与所述第二金属层接触；所述像素电极层通过所述深孔与所述第一金属层接触。16.本技术的一种实施方式，所述显示面板还包括防水膜层；17.所述防水膜层设置于所述栅极分布区，且所述防水膜层设置于所述像素电极层和所述保护膜层之间。18.本技术的一种实施方式，所述保护膜层由聚酰亚胺制成。19.本技术的一种实施方式，所述像素电极层为由氧化铟锡制成，所述像素电极层的厚度为50um-70um。20.本技术的一种实施方式，所述阵列基板具有栅极分布区，所述栅极分布区具有选定边界，所述保护膜层具有与所述选定边界对应的选定侧边，所述选定侧边凸出所述选定边界，所述选定侧边与所述选定边界之间的距离为1um-2um。21.本技术的一种实施方式，所述绝缘层包括：第一多晶硅层、第二多晶硅层和隔热层；其中，22.所述第一多晶硅层设置于所述第二金属层和所述第二多晶硅层之间，所述第二多晶硅层设置于所述第一多晶硅层和所述隔热层之间，所述隔热层设置于所述第一金属层和所述第二多晶硅层之间。23.此外，为实现上述目的，本技术还提出了一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板、液晶层和如上述任一项所述的阵列基板，所述液晶层位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。24.此外，为实现上述目的，本技术还提出了一种显示装置，所述显示装置包括背光模组以及如上所述的显示面板。25.本技术技术方案提出了一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括：保护膜层；所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。26.现有显示面板的阵列基板中，胶框直接覆盖于像素电极层表面，胶框容易吸收水汽，吸收水汽的胶框会对像素电极层进行腐蚀，进而腐蚀第一金属层和第二金属层，导致显示面板产生横纹等不良、显示效果较差。而本技术中，像素电极层设置于保护膜层和钝化层之间，使得胶框未直接覆盖于像素电极层，胶框与像素电极层之间还具有保护膜层，保护膜层阻止胶框与像素电极层直接接触，避免像素电极层被吸收水汽的胶框腐蚀，进而避免了第一金属层和第二金属层被腐蚀，使得显示面板不会产生横纹等不良，从而提高显示面板的显示效果。附图说明27.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。28.图1为本技术实施例一中阵列基板的结构示意图；29.图2为图1中a区域对应的阵列基板第一局部放大图；30.图3为图1中a区域对应的阵列基板第二局部放大图；31.图4为图1中a区域对应的阵列基板第三局部放大图；32.图5为图1中a区域对应的阵列基板第四局部放大图；33.图6为本技术实施例二中显示面板的结构示意图；34.图7为本技术实施例三中显示装置的结构示意图。35.附图标号说明：36.标号名称标号名称101玻璃基板102第一金属层103绝缘层1031第一多晶硅层1032第二多晶硅层1033隔热层104第二金属层105钝化层106像素电极层107保护膜层108柱状隔垫物109浅孔110深孔111防水膜层1000显示装置1100显示面板1101栅极分布区1102显示区1103覆晶薄膜1104印制电路板1阵列基板2彩膜基板3胶框4液晶层37.本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。39.需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。40.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。41.另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“a和/或b”为例，包括a方案、或b方案、或a和b同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。42.实施例一：43.参照图1，图1为本技术实施例一中阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板1具有显示区1102和非显示区域，其中，非显示区域包括栅极分布区1101(本技术中，也叫gdl区)。显示面板包括印制电路板1104，印制电路板可以是pcba板，显示面板还包括覆晶薄膜1103(cof)，覆晶薄膜用于连接印制电路板和阵列基板；其中，覆晶薄膜的数量可以是多个，在图1中，每个印制电路板1104通过6个覆晶薄膜1103来连接，6个覆晶薄膜和2个印制电路板只是示例性的表示，并不限定于6个覆晶薄膜和2个印制电路板。44.参照图2，图2为图1中a区域对应的阵列基板第一局部放大图，所述阵列基板包括玻璃基板101、像素电极层106、钝化层105、绝缘层103、第二金属层104和第一金属层102；所述阵列基板还包括保护膜层107；45.所述像素电极层106设置于所述保护膜层107和所述钝化层105之间；46.所述钝化层105设置于所述像素电极层106和所述第二金属层104之间；47.所述绝缘层103设置于所述第二金属层104和所述第一金属层102之间；48.所述第一金属层102设置于所述绝缘层103和所述玻璃基板101之间。49.参照图2，胶框3设置于保护膜层107的表面，用于粘合阵列基板和彩膜基板。可以理解的是，胶框3是通过粘合保护膜层，实现与阵列基板的粘合。50.通常，显示面板包括阵列基板和彩膜基板。在显示区中，彩膜基板和所述保护膜层之间用于放置液晶，即，显示区中，液晶层形成于彩膜基板和所述保护膜层之间，所述保护膜层和所述玻璃基板之间具有器件层(包括钝化层、金属层、绝缘层以及欧姆接触层等)。在本技术中，保护膜层可以是由聚酰亚胺制成，所述保护膜层为显示区中的配向层(由pi液制成，pi液：聚酰亚胺液)，其延伸到栅极分布区，并覆盖于所述像素电极层，即，保护膜层采用一道工序制成，同时实现显示区的配向层制程以及栅极分布区中用于保护像素电极层的保护层制程；在该实施例中，阵列基板的保护膜层采用一道工序制程，不需要额外的工序，简化了制作工序，提高了阵列基板的制作效率。51.通常，配向层需要较高的粘度，即框胶与配向层的剥离强度大于预设强度，其中，预设强度可以是用户基于需求设定的，本技术不做限制。52.具体的，参照图3-5，图3为图1中a区域对应的阵列基板第二局部放大图，图4为图1中a区域对应的阵列基板第三局部放大图，图5为图1中a区域对应的阵列基板第四局部放大图。53.参照图3，在一些实施例中，保护膜层107覆盖阵列基板的局部区域，不覆盖于阵列基板中的柱状隔垫物108；保护膜层107的厚度需要低于柱状隔垫物108的高度，通常保护膜层107的靠近液晶层的表面与柱状隔垫物108的顶端高度差为在0.5-0.6um。54.参照图2-图5，所述阵列基板还具有浅孔109；所述浅孔109形成于所述钝化层105中，所述浅孔109将所述第二金属104层暴露，用于让所述第二金属层104和所述像素电极层106连接；同时，所述阵列基板还具有深孔110；所述深孔110形成于所述钝化层105和所述绝缘层103中，所述深孔110将所述第一金属层102暴露，用于让所述第一金属层102和所述像素电极层106连接。55.所述像素电极层106通过所述浅孔109与所述第二金属层104接触；所述像素电极层106通过所述深孔110与所述第一金属层102接触。56.其中，第一金属层为数据线层，第二金属层为扫描线层；具体应用中，扫描线层打开像素的开关，然后，数据线层传进像素数据，最后，彩膜基板和阵列基板的像素电极层控制液晶分子翻转。57.具体应用中，所述像素电极层为由氧化铟锡制成，所述像素电极层的厚度为50um-70um。像素电极层不宜过厚，否则会造成短路；通常，像素电极层厚度50um为较优的选择；在该实施例中，像素电极层厚度适中，像素电极层的厚度不会过大，从而避免像素电极层出现短路现象。58.参照图4和图5，所述绝缘层103还包括：第一多晶硅层1031、第二多晶硅层1032和隔热层1033；其中，所述第一多晶硅层1031设置于所述第二金属层104和所述第二多晶硅层1032之间；所述第二多晶硅层1032设置于所述第一多晶硅层1031和所述隔热层1033之间；所述隔热层1033设置于所述第一金属层102和所述第二多晶硅层1032之间。59.具体应用中，所述第一多晶硅层由n+a-si材料制成，所述第二多晶硅层由a-si材料制成。60.参照图5，所述阵列基板还具防水膜层111；61.所述防水膜层111设置于所述像素电极层106和所述保护膜层107之间。62.其中，所述防水膜层设置于所述栅极分布区(gdl区)，所述防水膜层并不需要设置于所述显示区。63.所述防水膜层可以是采用不影响电场的材料制成，以避免防水膜层影响阵列基板间的电厂强度，所述防水膜层用于在pi制成之前，只在栅极分布区进行设置。64.进一步的，所述阵列基板具有栅极分布区，所述栅极分布区具选定边界，所述保护膜层具有与所述选定边界对应的选定侧边，所述选定侧边凸出所述选定边界，所述选定侧边与所述选定边界之间的距离为1um-2um。。65.需要说明的是，阵列基板水平放置时，栅极分布区通常位于于阵列基板的左右两侧，显示区设置于阵列基板中，两侧的栅极分布区域中间；对于左右两侧的栅极分布区，每一个栅极分布区的靠近外侧的边界即为选定边界，保护膜层靠近该选定边界的一个边即为选定侧边，所述选定侧边凸出所述选定边界，即所述保护膜层延伸出所述栅极分布区，同时，选定侧边延凸出所述栅极分布区的选定边界的凸出距离为1um-2um，即，保护膜层在两侧的栅极分布区域延伸出1um-2um；在该实施例中，凸出的保护膜层可以更加全面的覆盖阵列基板中的像素电极层，使得保护膜层的防水效果更好，同时，保护膜层的凸出范围较小，不会影响阵列基板的其他层的布局和制程。66.本技术技术方案提出了一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括：保护膜层；所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。67.现有显示面板的阵列基板中，胶框直接覆盖于像素电极层表面，胶框容易吸收水汽，吸收水汽的胶框会对像素电极层进行腐蚀，进而腐蚀第一金属层和第二金属层，导致显示面板产生横纹等不良、显示效果较差。而本技术中，像素电极层设置于保护膜层和钝化层之间，使得胶框未直接覆盖于像素电极层，胶框与像素电极层之间还具有保护膜层，保护膜层阻止胶框与像素电极层直接接触，避免像素电极层被吸收水汽的胶框腐蚀，进而避免了第一金属层和第二金属层被腐蚀，使得显示面板不会产生横纹等不良，从而提高显示面板的显示效果。68.同时，显示区和栅极分布区的保护膜层为一体的配向层，采用一道工序制成，提高了阵列基板的制作效率和制作成本。69.另外，在一些实施例中，还可以在栅极分布区多设置一个防水层，进一步保护像素电极层不被水汽腐蚀，提高了阵列基板的防水汽腐蚀能力。70.实施例二：71.请参见图6所示，图6为本技术实施例二中显示面板的结构示意图，显示面板包括显示区和栅极分布区；具体的，显示面板包括：72.阵列基板1、彩膜基板2、胶框3和液晶层4，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括保护膜层；所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。73.其中，所述液晶层设置于所述保护膜层和所述彩膜基板之间；所述胶框设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，并包围所述液晶层。74.需要说明的是，本技术实施例二中的阵列基板已经在上述进行详细说明，在此不再一一赘述。75.本技术实施例二中，显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括保护膜层；所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。本技术中，像素电极层设置于保护膜层和钝化层之间，使得胶框未直接覆盖于像素电极层，胶框与像素电极层之间还具有保护膜层，保护膜层阻止胶框与像素电极层直接接触，避免像素电极层被吸收水汽的胶框腐蚀，进而避免了第一金属层和第二金属层被腐蚀，使得显示面板不会产生横纹等不良，从而提高显示面板的显示效果。76.实施例三：77.此外，请参照图7，图7为本技术实施例三中显示装置的结构示意图；本技术实施例三在上述各实施例显示面板的基础上，还提出一种显示装置1000，所述显示装置1000包括：78.如上述实施例的显示面板1100，还包括背光模组、主控线路板和框架(图7中未示意出)，显示面板1100、背光模组和主控线路板均装配于框架内，主控线路板和显示面板1100的输入电路连接。需要说明的是，本技术实施例三中的显示装置还可以包括其他部件，在实际应用中，可以根据具体应用场景进行灵活调整。79.本技术实施例三中的显示装置可以以各种形式来实施，其中显示装置可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)、便捷式媒体播放器(portablemediaplayer，pmp)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等移动显示装置，以及诸如数字tv、台式计算机等固定显示装置。80.需要说明的是，本技术实施例三中的显示面板已经在上述进行详细说明，在此不再一一赘述。81.本技术实施例三中，显示装置包括显示面板，其中显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板、像素电极层、钝化层、绝缘层、第一金属层和第二金属层；所述阵列基板还包括保护膜层；所述像素电极层设置于所述保护膜层和所述钝化层之间；所述钝化层设置于所述像素电极层和所述第二金属层之间；所述绝缘层设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一金属层设置于所述绝缘层和所述玻璃基板之间。本技术中，像素电极层设置于保护膜层和钝化层之间，使得胶框未直接覆盖于像素电极层，胶框与像素电极层之间还具有保护膜层，保护膜层阻止胶框与像素电极层直接接触，避免像素电极层被吸收水汽的胶框腐蚀，进而避免了第一金属层和第二金属层被腐蚀，使得显示面板不会产生横纹等不良，从而提高显示面板的显示效果。82.以上所述仅为本技术的可选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的申请构思下，利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
：均包括在本技术的专利保护范围内。当前第1页12当前第1页12