1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.随着液晶面板的不断发展，高分辨率的产品被不断开发，但随着像素的增多，容易导致一系列的问题发生，例如：在对液晶面板进行某些压力测试或跌落测试时，容易出现亮点、雪花等亮度不均匀问题，从而影响产品信赖性和产品质量。
3.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于提供一种显示面板及显示装置，能够提高产品信赖性和产品质量。
5.本公开第一方面提供了一种显示面板，包括开口区和围绕所述开口区和非开口区，其中，所述显示面板包括：
6.阵列基板，包括第一衬底以及位于所述非开口区并形成在所述第一衬底上的栅线、数据线、薄膜晶体管和垫高部；所述栅线与所述数据线相互绝缘，且所述栅线在第一方向上延伸，所述数据线在第二方向上延伸；所述数据线在所述第一衬底上的正投影与所述栅线在所述第一衬底上的正投影存在交叠；所述垫高部在所述第一衬底上的正投影位于所述栅线在所述第一衬底上的正投影内，且不与所述数据线和所述薄膜晶体管在所述第一衬底上的正投影交叠；
7.彩膜基板，包括第二衬底、位于所述第二衬底朝向所述阵列基板一侧的隔垫物；所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影与所述垫高部在所述第一衬底上的正投影存在交叠，并与所述数据线和所述栅线在所述第一衬底上的交叠区存在交叠。
8.在本公开的一种示例性实施例中，所述垫高部与所述数据线同层设置，并与所述数据线、所述栅线和所述薄膜晶体管相互绝缘。
9.在本公开的一种示例性实施例中，所述垫高部在所述第一衬底的正投影为长条形，所述垫高部在所述第二方向上延伸；且所述垫高部在所述第二方向上的外边缘位于所述隔垫物在所述第二方向上的外边缘的外侧。
10.在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物设置有多个；多个所述隔垫物包括辅助隔垫物，所述辅助隔垫物与所述阵列基板之间具有间隙；其中，所述阵列基板包括：
11.第一区域，位于所述非开口区；所述第一区域包括与一所述辅助隔垫物相对应的所述垫高部，以及位于所述垫高部在所述第二方向上两侧的第一挡墙和第二挡墙；
12.第二区域，位于所述非开口区；所述第二区域包括与一所述辅助隔垫物相对应的所述垫高部，位于所述垫高部在所述第二方向上两侧的第三挡墙和第四挡墙，位于所述垫高部与所述第三挡墙之间的第五挡墙，以及位于所述垫高部与所述第四挡墙之间的第六挡
墙；所述第五挡墙的厚度小于所述第三挡墙的厚度，所述第六挡墙的厚度小于所述第四挡墙的厚度。
13.在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括位于所述非开口区的公共信号线，所述公共信号线在所述第一方向上延伸并位于所述栅线的一侧；
14.所述第一挡墙位于所述栅线远离所述公共信号线的一侧，且所述第一挡墙包括第一垫高层和第二垫高层；所述第一垫高层与所述栅线同层设置；所述第二垫高层与所述数据线同层设置；
15.所述第二挡墙位于所述栅线靠近所述公共信号线的一侧，且所述第二挡墙包括第三垫高层和第四垫高层；所述第三垫高层与所述公共信号线同层设置；所述第四垫高层与所述数据线同层设置。
16.在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一区域中：
17.所述第一挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第一间距；所述第一间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为2至3；
18.所述第二挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第二间距；所述第二间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为2至3。
19.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一间距与所述第二间距相等。
20.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一挡墙在所述第一方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为0.8至1；
21.所述第二挡墙在所述第一方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为0.8至1。
22.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三挡墙位于所述栅线远离所述公共信号线的一侧，且所述第三挡墙包括第五垫高层和第六垫高层；所述第五垫高层与所述栅线同层设置；所述第六垫高层与所述数据线同层设置；
23.所述第四挡墙位于所述公共信号线远离所述栅线的一侧，且所述第四挡墙包括第七垫高层和第八垫高层；所述第七垫高层与所述栅线同层设置；所述第八垫高层与所述数据线同层设置；
24.所述第五挡墙位于所述栅线远离所述公共信号线的一侧，且所述第五挡墙包括与所述数据线同层设置的第九垫高层；
25.所述第六挡墙位于所述栅线靠近所述公共信号线的一侧，且所述第六挡墙包括与所述公共信号线同层设置的第十垫高层。
26.在本公开的一种示例性实施例中，在所述第二区域中：
27.所述第三挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第三间距；
28.所述第四挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第四间距；
29.所述第五挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第五间距；
30.所述第六挡墙在所述第一衬底上的正投影与所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影之间的间距为第六间距；
31.其中，所述第三间距等于所述第四间距；所述第五间距大于所述第六间距。
32.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三间距、所述第四间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为5至6；
33.所述第五间距、第六间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为2至3；
34.所述第三挡墙与所述第五挡墙之间的间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为1至2。
35.在本公开的一种示例性实施例中，所述第四挡墙在所述第一方向上的尺寸大于所述第三挡墙在所述第一方向上的尺寸，且大于所述第五挡墙在所述第一方向上的尺寸。
36.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三挡墙、所述第五挡墙在所述第一方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为0.8至1；
37.所述第四挡墙在所述第一方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为1.4至2。
38.在本公开的一种示例性实施例中，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述数据线同层设置，所述源电极与所述数据线电连接；
39.所述阵列基板还包括在阵列基板的厚度方向上相对设置的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极形成在所述第一衬底上并位于所述开口区和所述非开口区；
40.其中，所述像素电极中位于所述非开口区的部分与所述漏电极电连接；所述公共信号线与所述公共电极中位于所述非开口区的部分电连接；且所述厚度方向与所述第一方向和所述第二方向正交。
41.在本公开的一种示例性实施例中，所述栅线位于所述数据线靠近所述第一衬底的一侧；
42.所述像素电极位于所述数据线靠近所述第一衬底的一侧；
43.所述公共电极位于所述数据线远离所述第一衬底的一侧；
44.所述公共信号线位于所述数据线远离所述第一衬底的一侧，并与所述公共电极搭接。
45.在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电极和所述公共电极中的一者为板状电极，另一者为狭缝电极。
46.在本公开的一种示例性实施例中，多个所述隔垫物还包括主隔垫物，所述主隔垫物与所述阵列基板相接触；
47.所述主隔垫物和所述辅助隔垫物在所述第一衬底上的正投影均为长条形，所述主隔垫物和所述辅助隔垫物的长度方向为所述第一方向，所述主隔垫物和所述辅助隔垫物的宽度方向为所述第二方向；
48.其中，所述主隔垫物在所述第一方向上的尺寸等于所述辅助隔垫物在所述第一方向上的尺寸；且所述主隔垫物在所述第二方向上的尺寸大于所述辅助隔垫物在第二方向上的尺寸。
49.在本公开的一种示例性实施例中，所述主隔垫物、所述辅助隔垫物在所述第一方
向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为2至3；
50.所述主隔垫物在所述第二方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为1.4至2；
51.所述辅助隔垫物在所述第二方向上的尺寸与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为1至1.5。
52.在本公开的一种示例性实施例中，所述彩膜基板还包括与所述非开口区对应的黑矩阵；
53.所述主隔垫物的边缘与所述黑矩阵的边缘在所述第二方向上的间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为6至7；
54.所述辅助隔垫物的边缘与所述黑矩阵的边缘在所述第二方向上的间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为6至7；
55.所述第四挡墙的边缘与所述黑矩阵的边缘在所述第二方向上的间距与所述数据线在所述第一方向上的尺寸之间的比值为1至2。
56.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一区域和所述第二区域均设置有多个。
57.本公开第二方面提供一种显示装置，其特征在于，包括上述任一项所述的显示面板。
58.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
59.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
60.图1示出了相关技术中显示面板的结构示意图；
61.图2示出了本公开一实施例所述的显示面板的平面示意图；
62.图3示出了本公开一实施例所述的显示面板在一方向上的截面示意图；
63.图4示出了本公开一实施例所述的显示面板的主区域中各层结构的位置关系示意图；
64.图5示出了图4所示出的主区域沿a-a线的截面示意图；
65.图6示出了本公开一实施例所述的显示面板的第一区域中各层结构的位置关系示意图；
66.图7示出了本公开一实施例所述的显示面板的第二区域中各层结构的位置关系示意图；
67.图8示出了图6所示出的第一区域沿b-b线的截面示意图或示出了
68.图7所示出的第一区域沿d-d线的截面示意图；
69.图9示出了图6所示出的第一区域沿c-c线的截面示意图；
70.图10示出了图7所示出的第一区域沿e-e线的截面示意图。
71.附图标记：
72.1、隔垫物；2、数据线；3、栅线；4、交叠部位；5、薄膜晶体管；
73.10、显示面板；10a、开口区；10b、非开口区；11、阵列基板；11a、第一挡墙；11aa、第一垫高层；11ab、第二垫高层；11b、第二挡墙；11ba、第三垫高层；11bb、第四垫高层；11c、第三挡墙；11ca、第五垫高层；11cb、第六垫高层；11d、第四挡墙；11da、第七垫高层；11db、第八垫高层；11e、第五挡墙；11ea、第九垫高层；11f、第六挡墙；11fa、第十垫高层；110、第一衬底；111、栅线；112、数据线；113、薄膜晶体管；113a、栅极；113b、有源层；113c、源电极、113d、漏电极；114、垫高部；115、公共电极；115a、狭缝；116、像素电极；117、第一绝缘层；118、第二绝缘层；119、公共信号线；12、彩膜基板；120、第二衬底；121、主隔垫物；122、辅助隔垫物；123、黑矩阵；13、液晶分子。
具体实施方式
74.下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
75.另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
76.需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
一侧”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
77.用语“该”、“此”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
78.需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。
79.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
80.在本公开中，为了方便起见，使用“中间区域”、“两侧区域”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
81.在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。
82.在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、
刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
83.对于高分辨显示产品，如：55寸8k超高清分辨率(7680
×
4320)的液晶电视，由于像素空间受限，因此，如图1所示，使得隔垫物1与数据线2和栅线3的交叠部位4以及与薄膜晶体管5之间的距离非常小，此隔垫物1通常与栅线3对位设置，即：隔垫物1在基板上的正投影位于栅线3在基板上的正投影内；这样当显示面板受到大力拍击后，隔垫物1会发生较大移位，即：隔垫物1可能会从其对位处移动至数据线2和栅线3的交叠部位4处或移动到薄膜晶体管5处。
84.如图1所示，由于基板中数据线2和栅线3的交叠部位4所在区域的厚度、薄膜晶体管5处所在区域的厚度大于基板中与隔垫物1对位的区域的厚度，且基板中数据线2和栅线3的交叠部位4所在区域、薄膜晶体管5处所在区域与基板中与隔垫物1对位的区域具有较大段差，因此，在隔垫物1从其对位处移动至数据线2和栅线3的交叠部位4处或移动到薄膜晶体管5处，会导致液晶盒的厚度发生较大变化，这样容易导致显示产品的亮度发生较明显变化，如果隔垫物1不能快速复位，会产生明显mura(亮度不均匀)现象，例如：敲击雪花等mrua现象；此外，黑矩阵也会发生较大位移，以遮挡了亮度，形成黑mura。
85.基于此问题，本公开实施例提供了一种显示面板，此显示面板可为液晶显示面板；其中，如图2所示，显示面板10可包括开口区10a和围绕所述开口区10a和非开口区10b；此非开口区10b为与彩膜基板的黑矩阵相对应的区域，此黑矩阵用于对显示面板中非透明的结构(例如：数据线、栅线等)进行遮挡；而开口区10a并未被黑矩阵遮挡；此开口区10a可允许背光模组(图中未示出)发出的光线可透过，且背光模组(图中未示出)发出的光线在非开口区10b处被阻挡。
86.详细说明，如图3所示，显示面板10可包括阵列基板11和彩膜基板12，此阵列基板11和彩膜基板12可对盒设置，应当理解的是，显示面板10还可包括液晶分子13，此液晶分子13位于阵列基板11和彩膜基板12之间；其中：
87.如图4至图10所示，阵列基板11可包括第一衬底110、栅线111、数据线112、薄膜晶体管113和垫高部114。栅线111、数据线112、薄膜晶体管113和垫高部114可形成在第一衬底110上并位于非开口区10b。此栅线111需与数据线112相互绝缘；且栅线111在第一方向x上延伸，数据线112在第二方向y上延伸，且数据线112在第一衬底110上的正投影与栅线111在第一衬底110上的正投影存在交叠，也就是说，第二方向y与第一方向x相交，可选地，第二方向y与第一方向x正交；垫高部114在第一衬底110上的正投影位于栅线111在第一衬底110上的正投影内，且不与数据线112和薄膜晶体管113在第一衬底110上的正投影交叠；
88.如图4至图10所示，彩膜基板12可包括第二衬底120和隔垫物121、122，此隔垫物121、122位于第二衬底120朝向阵列基板11一侧，用于维持显示面板10的厚度；其中，隔垫物121、122在第一衬底110上的正投影与垫高部114在第一衬底110上的正投影存在交叠，并与数据线112和栅线111在第一衬底110上的交叠区存在交叠。
89.在本公开的实施例中，通过在阵列基板11中与隔垫物121、122对应的区域设置垫高部114，这样使得阵列基板11中与隔垫物121、122所对应的区域本身具有较高的厚度，因此，可减小阵列基板11中与隔垫物121、122所对应的区域与周围区域(例如：数据线112和栅线111的交叠部位所在区域、薄膜晶体管113所在区域等)之间的段差；即使隔垫物121、122
在显示面板10受到大力拍击后向薄膜晶体管113所在区域或数据线112和栅线111的交叠部位所在区域发生移动，也不会使显示面板10出现太大压缩量的变化，甚至于不会出现压缩量的变化；这样可改善显示产品容易出现mrura现象的情况，提高了产品信赖性和产品质量。
90.其中，由于本公开实施例的隔垫物121、122在第一衬底110上的正投影还与数据线112和栅线111的交叠区相对应，因此，隔垫物121、122在显示面板10受到大力拍击后向数据线112和栅线111的交叠部位所在区域发生移动时，不会使显示面板10出现压缩量的变化，进一步改善了显示产品容易出现mrura现象的情况。
91.此外，由于阵列基板11中与隔垫物121、122所对应的区域与在第一方向x上的两侧区域之间的段差较小，因此，隔垫物121、122在第一方向x上滑动时，受到阻力非常小，当外力撤掉后，隔垫物能快速复位，以解决mura现象。
92.需要说明的是，隔垫物121、122在第一衬底110上的正投影与数据线112和栅线111在第一衬底110上的交叠区中的部分存在交叠，但不限于此，也可与数据线112和栅线111在第一衬底110上的整个交叠区存在交叠。
93.应当理解的是，显示面板10中隔垫物的数量可设置有多个，多个隔垫物中可包括主隔垫物121和辅助隔垫物122，此主隔垫物121和辅助隔垫物122均为多个，并均匀分布在显示面板10中。其中，主隔垫物121在显示面板10未收到外界压力时，其两端可分别与阵列基板11和彩膜基板12相接触，如图5所示，主要起到支撑作用；而辅助隔垫物122在显示面板10未受到外界压力时，辅助隔垫物122与阵列基板11之间具有间隙，如图8所示，也就是说，主隔垫物121与辅助隔垫物122之间存在段差(厚度差)，通过调节主隔垫物121与辅助隔垫物122之间的段差可以对显示面板10的厚度进行微调。示例地，主隔垫物121的厚度大于辅助隔垫物122的厚度，当显示面板10受到外界压力时，主隔垫物121先承受所有压力并压缩，当主隔垫物121压缩至主隔垫物121与辅助隔垫物122之间的段差降为0时，主隔垫物121和辅助隔垫物122共同承受外界压力。
94.此外，还应当理解的是，在本公开的实施例中，阵列基板11中与主隔垫物121和辅助隔垫物122对应的区域均可设置垫高部114。
95.下面结合附图对本公开实施例的显示面板10进行详细说明。
96.第一衬底110可位于开口区10a和非开口区10b；且第一衬底110可为单层结构或多层结构。举例而言，如图5、图8至图9所示，第一衬底110可为单层结构，且第一衬底110的材料可为玻璃，即：第一衬底110可为玻璃衬底；但不限于此，也可为其他材料，视具体情况而定。
97.如图5、图8至图9所示，栅线111可位于数据线112靠近第一衬底110的一侧；此栅线111可直接形成在第一衬底110上；但不限于此，栅线111也可位于数据线112远离第一衬底110的一侧。
98.应当理解的是，由于栅线111与数据线112在第一衬底110上的正投影存在交叠，因此，为了实现栅线111与数据线112之间的绝缘，在形成栅线111后，且在形成数据线112前，还可在第一衬底110上形成第一绝缘层117，此第一绝缘层117可覆盖栅线111，如图5、图8至图9所示。
99.数据线112在第一方向x上的尺寸可为5μm至7μm，例如：5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、7μm
等等，但不限于此，数据线112在第一方向x上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
100.举例而言，栅线111、数据线112可包括金属材料或者合金材料，例如包括铜、钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，以保证其良好的导电性能；第一绝缘层117可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料。
101.如图4至图8所示，薄膜晶体管113可包括栅极113a、有源层113b、源电极113c和漏电极113d。其中，薄膜晶体管113可为顶栅型，也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以薄膜晶体管113为底栅型为例进行说明。如图所示，在薄膜晶体管113为底栅型时，栅极113a形成在第一衬底110上，此栅极113a可与栅线111同层设置，以降低制作成本；有源层113b形成在栅极113a背离第一衬底110的一侧；应当理解的是，前述第一绝缘层117还位于有源层113b与栅极113a之间，以实现有源层113b与栅极113a之间的绝缘；源电极113c和漏电极113d分别与有源层113b的两端连接，且源电极113c和漏电极113d可与数据线112同层设置，以降低制作成本。
102.需要说明的是，薄膜晶体管113可设置有多个，部分薄膜晶体管113的栅极113a可为栅线111的一部分结构；而另一部分薄膜晶体管113的栅极113a与栅线111相互断开。此外，部分薄膜晶体管113的源电极113c还可直接与数据线112电连接。
103.如图5、图8至图9所示，垫高部114可与数据线112同层设置，以降低成本。其中，此垫高部114仅起到将阵列基板11中与隔垫物相对应的区域垫高、垫厚的目的，该垫高部114与数据线112、栅线111和薄膜晶体管113相互绝缘，不具有电性连接关系。
104.举例而言，如图4、图6、图7所示，垫高部114在第一衬底110上的正投影可为长条形，且垫高部114在第二方向y上延伸，也就是说，垫高部114的长度方向为第二方向y，此垫高部114在第二方向y上的外边缘位于隔垫物121、122在第二方向y上的外边缘的外侧；这样设计可保证隔垫物121、122在第二方向y上有略微移动时，仍然能够保证隔垫物121、122与垫高部114在第一衬底110上正投影的重叠面积相一致。
105.需要说明的是，垫高部114的厚度可与数据线112的厚度相同，也就是说，垫高部114远离第一衬底110的表面可与数据线112远离第一衬底110的表面相平齐，如图5和图8所示；此外，垫高部114中远离第一衬底110的表面相比于源电极113c、漏电极113d中远离第一衬底110的表面略靠近第一衬底110，但段差较小，即使隔垫物121、122在显示面板10受到大力拍击后向薄膜晶体管113所在区域发生移动，也不会使显示面板10出现太大压缩量的变化，以改善显示产品容易出现mrura现象的情况，提高了产品信赖性和产品质量。
106.如图4、图6和图7所示，阵列基板11还可包括像素电极116、公共电极115和公共信号线119。像素电极116和公共电极115可形成在第一衬底110上，并在阵列基板11的厚度方向z上相对设置，此厚度方向z与第一方向x和第二方向y正交；需要说明的是，像素电极116和公共电极115的大部分可位于开口区10a，少部分可位于非开口区10b；其中，像素电极116中位于非开口区10b的部分可与薄膜晶体管113的漏电极113d电连接。公共信号线119形成在第一衬底110上，并位于非开口区10b，此公共信号线119在第一方向x上延伸并位于栅线111的一侧；此公共信号线119可与公共电极115中位于非开口区10b的部分电连接。
107.举例而言，像素电极116和公共电极115可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成，为了保证阵列基板11的透光率。公共信号线119可包括金
属材料或者合金材料，例如包括铜、钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，以保证其良好的导电性能。
108.在一些实施例中，如图9和图10所示，像素电极116可位于数据线112靠近第一衬底110的一侧，也就是说，像素电极116可在制作数据线112之前制作而成。举例而言，像素电极116可直接形成在第一衬底110上，并不与栅线111接触；需要说明的是，前述第一绝缘层117还可覆盖此像素电极116，由于薄膜晶体管113中的漏电极113d与数据线112可同层设置，因此，薄膜晶体管113中的漏电极113d可通过过孔结构与像素电极116电连接。其中，像素电极116与栅线111的材料可不同，因此，像素电极116与栅线111可采用不同构图工艺制作而成。具体地，像素电极116可在制作栅线111之前制作而成，也可在制作完栅线111之后制作而成，视具体情况而定。
109.如图9和图10所示，公共电极115可位于数据线112远离第一衬底110的一侧；也就是说，公共电极115可在制作数据线112之后制作而成，需要说明的是，在制作完数据线112之后，还可制作第二绝缘层118，此第二绝缘层118形成在整个第一衬底110上并覆盖数据线112，如图8所示；也就是说，公共电极115与像素电极116之间具有第一绝缘层117和第二绝缘层118。举例而言，此第二绝缘层118可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料。
110.其中，公共信号线119位于数据线112远离第一衬底110的一侧，并与公共电极115搭接；也就是说，在制作完公共电极115之后，可制作公共信号线119，此公共信号线119直接与公共电极115进行搭接，以实现公共信号线119与公共电极115之间的电性连接。
111.需要说明的是，像素电极116、公共电极115、公共信号线119、数据线112、栅线111之间的相对位置关系不限于前述实施例所描述的形式，也可公共电极115位于数据线112靠近第一衬底110的一侧，即：公共电极115可直接形成在第一衬底110上，而公共信号线119可与栅线111同层设置，并搭接在公共电极115上；像素电极116可位于数据线112远离第一衬底110的一侧；视具体情况而定。
112.在一些实施例中，像素电极116和公共电极115中的一者为板状电极，另一者为狭缝电极。举例而言，如图4、图6和图7所示，公共电极115可为狭缝电极，即：电极上开设有狭缝115a，而像素电极116可为板状电极(即：电极为一整块并未开设狭缝)；通过同一平面内公共电极115所产生的电场和像素电极116间产生的电场形成多为电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子13发生偏转，可提高液晶的工作效率，且增加了透光效率；但不限于此，也可公共电极115为板状电极，像素电极116为狭缝电极；或公共电极115和像素电极116均为板状电极等等；视具体情况而定。
113.此外，阵列基板11上还可设置有配向膜(图中未示出)，此配向膜用于对液晶分子13进行配向。
114.在本公开的一些实施例中，辅助隔垫物122在第二方向y上的两侧可设置挡墙，以避免辅助隔垫物122在产品进行跌落测试(drop test)、推挤测试(push test)时滑移至开口区10a，从而可避免产品出现亮点等显示问题。其中，由于在不同测试下，受力不同；因此，为了匹配不同测试，可在不同辅助隔垫物122周围进行不同的挡墙设计，具体可分为两种设计，例如：阵列基板11可包括第一区域和第二区域，此第一区域和第二区域均位于非开口区10b，其中：
115.如图6所示，第一区域可包括与一辅助隔垫物122相对应的垫高部114，此垫高部114的具体位置关系可参考前述记载的内容，在此不再赘述；且第一区域还可包括位于垫高部114在第二方向y上两侧的第一挡墙11a和第二挡墙11b；通过设置第一挡墙11a和第二挡墙11b可对与第一区域相对应的辅助隔垫物122在第二方向y上的滑动位移进行限定，从而可避免此辅助隔垫物122滑移至开口区10a并划伤开口区10a的配向膜的情况，以避免显示产品出现亮点。需要说明的是，此第一区域主要是针对push test中出现亮点的情况。
116.其中，第一挡墙11a可位于栅线111远离公共信号线119的一侧，即：如图6所示，第一挡墙11a可位于栅线111的上侧；如图9所示，第一挡墙11a可包括第一垫高层11aa和第二垫高层11ab；此第一垫高层11aa可与栅线111同层设置，且相互断开；第二垫高层11ab可与数据线112同层设置，且相互断开；由于第一垫高层11aa可与栅线111同层设置、第二垫高层11ab与数据线112同层设置，因此，可降低掩膜成本。应当理解的是，第一垫高层11aa、第二垫高层11ab不限于与栅线111、数据线112同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
117.需要说明的是，第二垫高层11ab在第一衬底110上的正投影可与第一垫高层11aa在第一衬底110上的正投影内。此外，第一挡墙11a不仅包括第一垫高层11aa、第二垫高层11ab，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第一垫高层11aa、第二垫高层11ab对应的部位也可属于第一挡墙11a的一部分；换言之，本公开实施例中，通过设置第一垫高层11aa、第二垫高层11ab以将阵列基板11中与之对应的区域整体垫高，以形成第一挡墙11a，这样可以更好地对辅助隔垫物122进行阻挡。
118.第二挡墙11b可位于栅线111靠近公共信号线119的一侧，即：如图6所示，第一挡墙11a可位于栅线111的下侧；如图9所示，第二挡墙11b可包括第三垫高层11ba和第四垫高层11bb；第三垫高层11ba可与公共信号线119同层设置，需要说明的是，此第三垫高层11ba可为公共信号线119的一部分结构；第四垫高层11bb可与数据线112同层设置，且相互断开；由于第三垫高层11ba可与公共信号线119同层设置、第四垫高层11bb与数据线112同层设置，因此，可降低掩膜成本。应当理解的是，第三垫高层11ba、第四垫高层11bb不限于与公共信号线119、数据线112同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
119.需要说明的是，第二挡墙11b不仅包括第三垫高层11ba、第四垫高层11bb，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第三垫高层11ba、第四垫高层11bb对应的部位也可属于第二挡墙11b的一部分；换言之，本公开实施例中，通过设置第三垫高层11ba、第四垫高层11bb以将阵列基板11中与之对应的区域整体垫高，以形成第二挡墙11b，这样可以更好地对辅助隔垫物122进行阻挡。
120.如图9所示，在第一区域中，第一挡墙11a在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第一间距h1；举例而言，此第一间距h1与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为2至3。且第二挡墙11b在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第二间距h2；举例而言，第二间距h2与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为2至3。其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第一间距h1、第二间距h2可为10μm至21μm，比如：10μm、13μm、17μm、21μm等等，但不限于此，第一间距h1、第二间距h2也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
121.可选地，第一挡墙11a在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距与第二挡墙11b在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可相等，即：第一间距h1与第二间距h2可相等。
122.在一些实施例中，第一挡墙11a在第一方向x上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为0.8至1；第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸可与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为0.8至1，需要说明的是，由于第二挡墙11b中第三垫高层11ba可属于公共信号线119的一部分，因此，此处提到的第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸可理解为第四垫高层11bb在第一方向x上的尺寸。
123.其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第一挡墙11a在第一方向x上的尺寸、第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸可为4μm至7μm，比如：4μm、5μm、6μm、7μm等等，但不限于此，第一挡墙11a在第一方向x上的尺寸、第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。需要说明的是，第一挡墙11a在第一方向x上的尺寸可小于或等于第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸，也可大于第二挡墙11b在第一方向x上的尺寸，视具体情况而定。
124.如图7所示，第二区域包括与一辅助隔垫物122相对应的垫高部114，此垫高部114的具体位置关系可参考前述记载的内容，在此不再赘述；且第二区域还可包括位于垫高部114在第二方向y上两侧的第三挡墙11c和第四挡墙11d，位于垫高部114与第三挡墙11c之间的第五挡墙11e，以及位于垫高部114与第四挡墙11d之间的第六挡墙11f；第五挡墙11e的厚度小于第三挡墙11c的厚度，第六挡墙11f的厚度小于第四挡墙11d的厚度。本公开的实施例中，通过在第二区域的垫高部114的两侧分别设置厚度不一的两个挡墙，可进一步阻挡辅助隔垫物122向开口区10a移动。需要说明的是，此第一区域主要是针对drop test中出现亮点的情况。
125.其中，第三挡墙11c可位于栅线111远离公共信号线119的一侧，即：如图7所示，第三挡墙11c可位于栅线111的上侧；如图10所示，第三挡墙11c可包括第五垫高层11ca和第六垫高层11cb；此第五垫高层11ca与栅线111同层设置，且相互断开；第六垫高层11cb与数据线112同层设置，且相互断开；由于第五垫高层11ca可与栅线111同层设置、第六垫高层11cb可与数据线112同层设置，因此，可降低掩膜成本。应当理解的是，第五垫高层11ca、第六垫高层11cb不限于与栅线111、数据线112同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
126.需要说明的是，第六垫高层11cb在第一衬底110上的正投影可与第五垫高层11ca在第一衬底110上的正投影内。此外，第三挡墙11c不仅包括第五垫高层11ca、第六垫高层11cb，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第五垫高层11ca、第六垫高层11cb对应的部位也可属于第三挡墙11c的一部分；换言之，本公开实施例中，通过设置第五垫高层11ca、第六垫高层11cb以将阵列基板11中与之对应的区域整体垫高，以形成第三挡墙11c，这样可以更好地对辅助隔垫物122进行阻挡。
127.第四挡墙11d可位于公共信号线119远离栅线111的一侧，即：如图7所示，第四挡墙11d可位于栅线111的下侧；如图10所示，第四挡墙11d可包括第七垫高层11da和第八垫高层11db；第七垫高层11da可与栅线111同层设置，且相互断开；第八垫高层11db可与数据线112同层设置，且相互断开；由于第七垫高层11da可与栅线111同层设置、第八垫高层11db与数
据线112同层设置，因此，可降低掩膜成本。应当理解的是，第七垫高层11da、第八垫高层11db不限于与栅线111、数据线112同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
128.需要说明的是，第八垫高层11db在第一衬底110上的正投影可与第七垫高层11da在第一衬底110上的正投影内。此外，第四挡墙11d不仅包括第七垫高层11da、第八垫高层11db，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第七垫高层11da、第八垫高层11db对应的部位也可属于第四挡墙11d的一部分；换言之，本公开实施例中，通过设置第七垫高层11da、第八垫高层11db以将阵列基板11中与之对应的区域整体垫高，以形成第四挡墙11d，这样可以更好地对辅助隔垫物122进行阻挡。
129.第五挡墙11e可位于栅线111远离公共信号线119的一侧，即：如图7所示，第五挡墙11e可位于栅线111的上侧；此外，应当理解的是，第五挡墙11e位于第三挡墙11c靠近栅线111的一侧，即：如图7所示，第五挡墙11e可位于第三挡墙11c的下侧。其中，如图10所示，第五挡墙11e可包括与数据线112同层设置的第九垫高层11ea，且相互断开；由于第九垫高层11ea可与数据线112同层设置，因此，可降低掩膜成本。应当理解的是，第九垫高层11ea不限于与数据线112同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
130.需要说明的是，第五挡墙11e不仅包括第九垫高层11ea，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第九垫高层11ea对应的部位也可属于第五挡墙11e的一部分；换言之，本公开实施例中，通过设置第九垫高层11ea以将阵列基板11中与之对应的区域整体垫高，以形成第五挡墙11e，这样可以更好地对辅助隔垫物122进行阻挡。
131.第六挡墙11f可位于栅线111靠近公共信号线119的一侧，即：如图7所示，第六挡墙11f可位于栅线111的下侧，且第六挡墙11f可位于第四挡墙11d的上侧；第六挡墙11f可包括与公共信号线119同层设置的第十垫高层11fa，需要说明的是，如图7和图10所示，第十垫高层11fa可为公共信号线119的部分结构，通过利用公共信号线119的部分结构作为第六挡墙11f的一部分，在实现对辅助隔垫物122进行阻挡的同时，还可降低成本，合理利用阵列基板11中的结构。应当理解的是，第十垫高层11fa不限于与公共信号线119同层设置，也可与其他层结构同层设置，或单独形成，视具体情况而定。
132.需要说明的是，第六挡墙11f不仅包括第十垫高层11fa，第一绝缘层117、第二绝缘层118、公共电极115、像素电极116中与第十垫高层11fa对应的部位也可属于第六挡墙11f的一部分。
133.如图10所示，在第二区域中，第三挡墙11c在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第三间距h3；第四挡墙11d在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第四间距h4；第五挡墙11e在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第五间距h5；第六挡墙11f在第一衬底110上的正投影与辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影之间的间距可为第六间距h6；其中，第三间距h3可等于第四间距h4，第五间距h5可大于第六间距h6。
134.可选地，第三间距h3、第四间距h4与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为5至6；其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第三间距h3、第四间距h4可为25μm至42μm，比如：25μm、32μm、37μm、42μm等等，但不限于此，第三间距h3、第四间距
h4也可在其他取值范围内，视具体情况而定。第五间距h5与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为2至3；其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第五间距h5可为10μm至21μm，比如：10μm、13μm、17μm、21μm等等，但不限于此，第五间距h5也可在其他取值范围内，视具体情况而定。第六间距h6与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为2至3；其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第六间距h6可为10μm至21μm，比如：10μm、15μm、21μm等等，但不限于此，第六间距h6也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
135.此外，第三挡墙11c与第五挡墙11e之间的间距与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为1至2。其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第六间距h6可为5μm至14μm，比如：5μm、10μm、14μm等等，但不限于此，第六间距h6也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
136.在本公开的一些实施例中，第四挡墙11d在第一方向x上的尺寸可大于第三挡墙11c在第一方向x上的尺寸，且大于第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸。举例而言，第三挡墙11c、第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为0.8至1；第四挡墙11d在第一方向x上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为1.4至2。
137.其中，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第三挡墙11c、第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸可为4μm至7μm，比如：4μm、5μm、6μm、7μm等等；第四挡墙11d在第一方向x上的尺寸可为7μm至14μm，比如：7μm、11μm、14μm等等；但不限于此，第三挡墙11c在第一方向x上的尺寸、第四挡墙11d在第一方向x上的尺寸、第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
138.需要说明的是，第三挡墙11c在第一方向x上的尺寸可小于或等于第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸，也可大于第五挡墙11e在第一方向x上的尺寸，视具体情况而定。
139.其中，前述第二区域的设计主要是针对drop test做的优化设计，在整机跌落，即：pcb(printed circuit board，电路板)朝上或pcb朝下跌落时，受力后显示面板10发生弯曲，彩膜基板12向显示面板10的中间区域移动，辅助隔垫物122划伤公共信号线119一侧风险较高，所以，本公开实施例通过使第四挡墙11d在第一方向x上的尺寸大于第三挡墙11c在第一方向x上的尺寸；以避免靠近公共信号线119一侧的开口区10a内的配向膜被划伤，出现亮点的情况，提高了产品信赖性和产品质量。
140.需要说明的是，阵列基板11中位于非开口区10b的部分不仅包括前述提到的与辅助隔垫物122对应的第一区域和第二区域，还可包括与主隔垫物121对应的主区域，如图4所示，此主区域包括与主隔垫物121对应的垫高部114，此垫高部114的具体位置关系可参考前述记载的内容，在此不再赘述；其中，主区域中垫高部114在第二方向y上的两侧不需要设置挡墙，也就是说，主区域中垫高部114在第二方向y上的两侧不需要设置垫高层，这样设计主要可改善触控时出现dnu(dark not uniformly，暗态不均匀)的情况。
141.其中，主区域、第一区域和第二区域设置有多个，且多个主区域、第一区域和第二区域可均匀部分在非开口区10b，以使得显示面板10在不同测试下均具有良好的信赖性。
142.在一些实施例中，如图5、图8至图10所示，彩膜基板12不仅可以包括前述提到的第二衬底120、主隔垫物121、辅助隔垫物122，还可包括黑矩阵123和滤光层(图中未示出)，此
滤光层位于开口区10a，而黑矩阵123位于非开口区10b；其中，主隔垫物121和辅助隔垫物122位于黑矩阵123远离第二衬底120的一侧。此外，彩膜基板12也可设置有用于对液晶分子13进行配向的配向膜(图中未示出)。
143.其中，第二衬底120可位于开口区10a和非开口区10b；且第二衬底120可为单层结构或多层结构。举例而言，第二衬底120可为单层结构，且第二衬底120的材料可为玻璃，即：第二衬底120可为玻璃衬底；但不限于此，也可为其他材料，视具体情况而定。
144.需要说明的是，主隔垫物121和辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影均为长条形，主隔垫物121和辅助隔垫物122的长度方向可为第一方向x，主隔垫物121和辅助隔垫物122的宽度方向可为第二方向y；其中，主隔垫物121在第一方向x上的尺寸等于辅助隔垫物122在第一方向x上的尺寸；且主隔垫物121在第二方向y上的尺寸大于辅助隔垫物122在第二方向y上的尺寸，但不限于此。
145.本公开的实施例中，主隔垫物121、辅助隔垫物122在第一衬底110上的正投影一部分与垫高部114在第一衬底110上的正投影重合，另一部分与栅线111和数据线112在第一衬底110上的交叠处重合，在保证主隔垫物121、辅助隔垫物122面积不变的情况下，此时，阵列基板11中主隔垫物121、辅助隔垫物122所对应的区域与其在第一方向x上的两侧区域厚度接近一致或一致，主隔垫物121、辅助隔垫物122在第一方向x上滑动时，基本不会引起压缩量变化及显示面板10的厚度变化，且主隔垫物121、辅助隔垫物122受阻力几乎很小，便于快速复位，以解决容易出现mura的情况。
146.其中，主隔垫物121、辅助隔垫物122在第一方向x上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为2至3；举例而言，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，主隔垫物121、辅助隔垫物122在第一方向x上的尺寸可为10μm至21μm，比如：10μm、14μm、18μm、21μm等等，但不限于此，主隔垫物121、辅助隔垫物122在第一方向x上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。主隔垫物121在第二方向y上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为1.4至2；举例而言，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，主隔垫物121在第二方向y上的尺寸可为7μm至14μm，比如：7μm、10μm、12μm、14μm等等，但不限于此，主隔垫物121在第二方向y上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。辅助隔垫物122在第二方向y上的尺寸与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为1至1.5；举例而言，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，辅助隔垫物122在第二方向y上的尺寸可为5μm至10μm，比如：5μm、7μm、10μm等等，但不限于此，辅助隔垫物122在第二方向y上的尺寸也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
147.在一些实施例中，主隔垫物121的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值可为6至7；辅助隔垫物122的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距与数据线112在第一方向x上的尺寸之间的比值为6至7。
148.举例而言，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，主隔垫物121的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距、辅助隔垫物122的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距可为30μm至49μm，比如：30μm、40μm、49μm等等，但不限于此，主隔垫物121的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距、辅助隔垫物122的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
149.此外，第四挡墙11d的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距与数据线112
在第一方向x上的尺寸之间的比值为1至2。举例而言，在数据线112在第一方向x上的尺寸为5μm至7μm时，第四挡墙11d的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距可为5μm至14μm，比如：5μm、8μm、11μm、14μm等等，但不限于此，第四挡墙11d的边缘与黑矩阵123的边缘在第二方向y上的间距也可在其他取值范围内，视具体情况而定。
150.本公开的实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一实施例所描述的显示面板10。此显示装置可为液晶显示装置。
151.根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示器，手机、笔记本电脑等移动装置，手表、手环等可穿戴设备，等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
152.需要说明的是，该显示装置除了显示面板10以外，还包括其他必要的部件和组成，以液晶显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
153.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。