本发明公开了一种基于MEMS技术的高频超声阵列换能器及制作方法,该换能器采用夹层式结构,它包括衬底、下电极、压电薄膜、上电极及声阻抗匹配层,所述压电薄膜置于衬底上,并被夹在所述上电极和下电极之间,所述声阻抗匹配层设置在超声阵列换能器的表面,用于提高换能器的带宽和声波透射效率。
该方法用来制作上述换能器。
本发明具有工艺简单、工作频率高、串扰低、分辨率高、可实现具有高深宽比的全缝隙隔离等优点。
张金英
太仓宏微电子科技有限公司
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本发明公开了一种基于MEMS技术的高频超声阵列换能器及制作方法,该换能器采用夹层式结构,它包括衬底、下电极、压电薄膜、上电极及声阻抗匹配层,所述压电薄膜置于衬底上,并被夹在所述上电极和下电极之间,所述声阻抗匹配层设置在超声阵列换能器的表面,用于提高换能器的带宽和声波透射效率。
该方法用来制作上述换能器。
本发明具有工艺简单、工作频率高、串扰低、分辨率高、可实现具有高深宽比的全缝隙隔离等优点。