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专利摘要

本发明公开了一种自带线性热电阻校正的热电堆红外传感器及其制备方法,通过改进热电堆芯片制作工艺,热电堆红外传感器本体部分和用于温度修正的PT热电阻,热电堆红外传感器本体和PT热电阻均制作在以SI基本材料的同一个基底上,由热电堆区域和线性金属热电阻补偿区域组成。
相比于现有技术,本发明实现了在热电堆芯片上制作高准确度的线性Pt电阻工艺,同时增加了芯片冷区的光反射效果,实现更加有效的温度差,提高了器件的灵敏度,提高了器件的整体准确度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011052511.X
申请日
2020-09-29
公开日
2021-01-22
公开号
CN112250031A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

汪民 许玉方 李朗 汪洋

申请人

广州德芯半导体科技有限公司

申请人地址

510000 广东省广州市番禺区石基镇金山村华创动漫产业园B25栋第三层之二

专利摘要

本发明公开了一种自带线性热电阻校正的热电堆红外传感器及其制备方法,通过改进热电堆芯片制作工艺,热电堆红外传感器本体部分和用于温度修正的PT热电阻,热电堆红外传感器本体和PT热电阻均制作在以SI基本材料的同一个基底上,由热电堆区域和线性金属热电阻补偿区域组成。
相比于现有技术,本发明实现了在热电堆芯片上制作高准确度的线性Pt电阻工艺,同时增加了芯片冷区的光反射效果,实现更加有效的温度差,提高了器件的灵敏度,提高了器件的整体准确度。

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