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专利摘要

本发明公开了器件封装模块及封装方法,该模块包括:器件单元,具有器件基底及设置在器件基底的第一表面的器件;封装基板,其第一表面与器件基底的第一表面对置且封装基板与器件基底之间形成空腔;封装结构,围绕空腔设置以密封空腔。
封装结构包括:第一金属层,第一金属层覆盖器件基底的至少一部分;第二金属层,第二金属层设置在封装基板的上表面;绝缘层,绝缘层围绕空腔设置,且绝缘层设置有在器件单元的厚度方向上贯穿绝缘层的通道,第一金属层的至少一部分处于通道上方,绝缘层在水平方向上与器件间隔开;密封金属层,密封金属层填充通道且电连接第一与第二金属层,所述密封金属层具有高出所述通道而与第一金属层电连接的部分。
本发明还公开了一种具有该模块的电子装置。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010690189.7
申请日
2020-07-17
公开日
2020-11-13
公开号
CN111924795A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

庞慰 张全德 张孟伦

申请人

诺思(天津)微系统有限责任公司

申请人地址

300462 天津市滨海新区开发区西区新业五街27号

专利摘要

本发明公开了器件封装模块及封装方法,该模块包括:器件单元,具有器件基底及设置在器件基底的第一表面的器件;封装基板,其第一表面与器件基底的第一表面对置且封装基板与器件基底之间形成空腔;封装结构,围绕空腔设置以密封空腔。
封装结构包括:第一金属层,第一金属层覆盖器件基底的至少一部分;第二金属层,第二金属层设置在封装基板的上表面;绝缘层,绝缘层围绕空腔设置,且绝缘层设置有在器件单元的厚度方向上贯穿绝缘层的通道,第一金属层的至少一部分处于通道上方,绝缘层在水平方向上与器件间隔开;密封金属层,密封金属层填充通道且电连接第一与第二金属层,所述密封金属层具有高出所述通道而与第一金属层电连接的部分。
本发明还公开了一种具有该模块的电子装置。

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