本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。
本发明为了提高β‑Si

张柳 李庆刚 史国普 吴俊彦 王志 黄世峰 程新

济南大学

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。
本发明为了提高β‑Si