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专利摘要

本发明公开了一种气固反应结合液相烧结法制备多孔纳米氮化硅陶瓷的方法,包括步骤:1)按照质量百分比将20~85wt%的碳纳米管,0~70wt%的α‑Si3N4,以及10~20wt%的稀土氧化物混合粉末模压成型后形成生坯,将SiO粉末置于坩埚底部,将生坯置于坩埚中部,再将坩埚放在多功能烧结炉中,通入氮气,在1500℃~1700℃保温1~6小时,进行碳热还原氮化反应生成氮化硅坯体,其中SiO和碳纳米管的质量比为10:1;2)继续升温至1750℃~1850℃进行液相烧结0.5~2小时,此过程中发生相转变,即获得多孔纳米氮化硅陶瓷。
本发明获得的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811459223.9
申请日
2018-11-30
公开日
2019-03-15
公开号
CN109467452A
主分类号
/C/C04/ 化学;冶金
标准类别
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

王波 智强 张建飞 周小楠 黄鑫 李紫璇 丁克 杨建锋

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

专利摘要

本发明公开了一种气固反应结合液相烧结法制备多孔纳米氮化硅陶瓷的方法,包括步骤:1)按照质量百分比将20~85wt%的碳纳米管,0~70wt%的α‑Si3N4,以及10~20wt%的稀土氧化物混合粉末模压成型后形成生坯,将SiO粉末置于坩埚底部,将生坯置于坩埚中部,再将坩埚放在多功能烧结炉中,通入氮气,在1500℃~1700℃保温1~6小时,进行碳热还原氮化反应生成氮化硅坯体,其中SiO和碳纳米管的质量比为10:1;2)继续升温至1750℃~1850℃进行液相烧结0.5~2小时,此过程中发生相转变,即获得多孔纳米氮化硅陶瓷。
本发明获得的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。

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