本发明公开了一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法。
该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤分别按四个阶段进行，其中，第一阶段至第三阶段均采用抛光液抛光，第四阶段均采用纯水进行抛光；中抛步骤和精抛步骤中所采用的研磨剂为平均粒径在3‑80nm的SiO

史训达 刘佐星 林霖 刘云霞 周莹莹 徐继平 王磊 李奇 杨少昆 程凤伶

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本发明公开了一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法。
该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤分别按四个阶段进行，其中，第一阶段至第三阶段均采用抛光液抛光，第四阶段均采用纯水进行抛光；中抛步骤和精抛步骤中所采用的研磨剂为平均粒径在3‑80nm的SiO