本发明提供水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，例如用于半导体衬底，其包含一种或多种含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅颗粒分散体的研磨剂，和一种或多种具有低于5的等电点(pI)的胺羧酸，优选酸性胺羧酸或吡啶酸，其中所述组合物具有2到5的pH。
所述组合物能够以高氧化物:氮化物去除速率比进行抛光。

N·K·彭塔 李姿丰

罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

美国特拉华州

本发明提供水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，例如用于半导体衬底，其包含一种或多种含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅颗粒分散体的研磨剂，和一种或多种具有低于5的等电点(pI)的胺羧酸，优选酸性胺羧酸或吡啶酸，其中所述组合物具有2到5的pH。
所述组合物能够以高氧化物:氮化物去除速率比进行抛光。