本发明提供了用于抛光钴或含钴衬底的化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统。
所述CMP组合物包含α‑丙氨酸、磨料颗粒、磷酸盐或酯、腐蚀抑制剂、氧化剂和水。
该钴化学机械抛光组合物提供高的Co去除速率以及Co薄膜相对于介电薄膜例如TEOS、SixNy(其中1.0<x<3.0，1.33<y<4.0)、低k和超低k薄膜的非常高的选择性。

史晓波 J·罗斯 T·J·克洛尔 J·A·施吕特 M·格雷夫 M·L·奥尼尔

弗萨姆材料美国有限责任公司

美国亚利桑那州

本发明提供了用于抛光钴或含钴衬底的化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统。
所述CMP组合物包含α‑丙氨酸、磨料颗粒、磷酸盐或酯、腐蚀抑制剂、氧化剂和水。
该钴化学机械抛光组合物提供高的Co去除速率以及Co薄膜相对于介电薄膜例如TEOS、SixNy(其中1.0<x<3.0，1.33<y<4.0)、低k和超低k薄膜的非常高的选择性。