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专利摘要

本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,涉及半导体材料技术领域。
本发明的一种晶片研磨油,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%~10%壬二酸酰胺钠、8%~10%月桂二酸钠、10%~20%单乙醇胺、15%~25%三乙醇胺、35%~59%水,具体的,该研磨油包括一下质量百分比的原料:8%壬二酸酰胺钠、8%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、49%水,且本发明的研磨油的制备方法为:按照比例,称取各原料,先将壬二酸酰胺钠加入水中,持续搅拌至完全溶解后,加入月桂二酸钠,搅拌溶解,再加入单乙醇胺、三乙醇胺搅拌均匀后得到研磨油。
本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,具有良好的防锈能力,能够有效防止研磨盘生锈,进而保证了磷化铟晶片研磨质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010711479.5
申请日
2020-07-22
公开日
2020-11-17
公开号
CN111944431A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

周一 毕洪伟 刘留 苏小平

申请人

威科赛乐微电子股份有限公司

申请人地址

404040 重庆市万州区万州经开区高峰园B02

专利摘要

本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,涉及半导体材料技术领域。
本发明的一种晶片研磨油,所述研磨油包括以下质量百分比的原料:8%~10%壬二酸酰胺钠、8%~10%月桂二酸钠、10%~20%单乙醇胺、15%~25%三乙醇胺、35%~59%水,具体的,该研磨油包括一下质量百分比的原料:8%壬二酸酰胺钠、8%月桂二酸钠、10%单乙醇胺、25%三乙醇胺、49%水,且本发明的研磨油的制备方法为:按照比例,称取各原料,先将壬二酸酰胺钠加入水中,持续搅拌至完全溶解后,加入月桂二酸钠,搅拌溶解,再加入单乙醇胺、三乙醇胺搅拌均匀后得到研磨油。
本发明公开了一种晶片研磨油及其制备方法,具有良好的防锈能力,能够有效防止研磨盘生锈,进而保证了磷化铟晶片研磨质量。

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