本发明公开一种用于半导体晶片加工的研磨液，涉及硬脆材料研磨抛光加工技术领域。
本发明公开的用于半导体晶片加工的研磨液，由以下重量百分比的组分组成：固体磨料20～30％，增稠剂10～20％，分散剂3～10％，润湿剂3～10％，润滑剂3～10％，偶联剂10～30％，消泡剂1～3％，溶剂10～50％和余量为去离子水。
本发明提供的研磨液悬浮性能稳定，加工过程中研磨剂不易沉底，可重复循环使用多次；流动性良好，不会出现结块现象，避免堵塞输液管道；表面润湿性和分散性俱佳，加工过程中研磨液分布均匀，避免加工界面产生划伤，提高加工良品率；易清洗，避免为后续加工过程引入杂质，同时，相同条件下的研磨去除率高，提高加工效率。

祁有丽 南振华

中科孚迪科技发展有限公司

410500 湖南省岳阳市湘阴县金龙新区卓达金谷创业园12号

本发明公开一种用于半导体晶片加工的研磨液，涉及硬脆材料研磨抛光加工技术领域。
本发明公开的用于半导体晶片加工的研磨液，由以下重量百分比的组分组成：固体磨料20～30％，增稠剂10～20％，分散剂3～10％，润湿剂3～10％，润滑剂3～10％，偶联剂10～30％，消泡剂1～3％，溶剂10～50％和余量为去离子水。
本发明提供的研磨液悬浮性能稳定，加工过程中研磨剂不易沉底，可重复循环使用多次；流动性良好，不会出现结块现象，避免堵塞输液管道；表面润湿性和分散性俱佳，加工过程中研磨液分布均匀，避免加工界面产生划伤，提高加工良品率；易清洗，避免为后续加工过程引入杂质，同时，相同条件下的研磨去除率高，提高加工效率。