本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料的制备方法,包括如下步骤:将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后,进行精抛光处理,精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤,然后干燥,即得射频芯片材料。
本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度,表面光滑呈原子台阶形貌,且无划痕、凹坑等表面缺陷,在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。
不公告发明人
北京大唐智创科技有限公司
100089 北京市海淀区北清路164号17-27号院032号
本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料的制备方法,包括如下步骤:将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后,进行精抛光处理,精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤,然后干燥,即得射频芯片材料。
本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度,表面光滑呈原子台阶形貌,且无划痕、凹坑等表面缺陷,在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。