本发明涉及单组份室温硫化导电屏蔽密封材料及其制备方法和应用，其中单组份室温硫化导电屏蔽密封材料如下质量份数的组分：端羟基聚硅氧烷100份；复合导电材料10～20份；封端剂1～5份；分散剂1～5份；交联剂5～15份；结构调节剂1～5份；催化剂0.2～2.5份；本发明提供的具有优异性能的导电屏蔽材料通过各组分的协同作用，克服了通常导电屏蔽密封材料以导电碳黑、石墨、金属或金属包覆的粉末为填料的不足，使得该导电屏蔽材料具有较低密度、较好导电性和电磁屏蔽性能，粘接强度高，综合性能优异，制备的就地成型密封件硬度高，密封性能好，此外本发明制备方法工艺简单，操作便捷，可控性好，产品质量稳定。

孙春燕 唐波 陈瑛 王帮武 王昕 江余敏 潘旭 闫路

航天材料及工艺研究所 北京宇航系统工程研究所 中国运载火箭技术研究院

100076 北京市丰台区南大红门路1号

本发明涉及单组份室温硫化导电屏蔽密封材料及其制备方法和应用，其中单组份室温硫化导电屏蔽密封材料如下质量份数的组分：端羟基聚硅氧烷100份；复合导电材料10～20份；封端剂1～5份；分散剂1～5份；交联剂5～15份；结构调节剂1～5份；催化剂0.2～2.5份；本发明提供的具有优异性能的导电屏蔽材料通过各组分的协同作用，克服了通常导电屏蔽密封材料以导电碳黑、石墨、金属或金属包覆的粉末为填料的不足，使得该导电屏蔽材料具有较低密度、较好导电性和电磁屏蔽性能，粘接强度高，综合性能优异，制备的就地成型密封件硬度高，密封性能好，此外本发明制备方法工艺简单，操作便捷，可控性好，产品质量稳定。