本发明涉及薄膜表面粗化速率领域，具体涉及一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法，包括样品材料，所述样品材料选用氮化铪，在制备过程中，通过采用磁控共溅射的方法，引入非晶层，利用非晶包裹作用阻碍上坡扩散进而获得低的粗化速率；本发明将增原子扩散理论指导实践，简化了复杂的扩散，只考虑影响表面粗化速率的上坡和下坡扩散，提出了原子水平上控制表面生长的新方法。
通过引入非晶层，阻碍上坡扩散将上下坡扩散概率比大大降低，进而获得极低的粗化速率，制备出了超光滑的薄膜；通过引入与母体材料不润湿的元素，阻碍下坡扩散将上下坡扩散概率比大大的提高，进而获得了极高的粗化速率，制备出了超粗糙的薄膜。

胡超权 蔡继泽 张侃 郑伟涛

吉林大学

130000 吉林省长春市前进大街2699号

本发明涉及薄膜表面粗化速率领域，具体涉及一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法，包括样品材料，所述样品材料选用氮化铪，在制备过程中，通过采用磁控共溅射的方法，引入非晶层，利用非晶包裹作用阻碍上坡扩散进而获得低的粗化速率；本发明将增原子扩散理论指导实践，简化了复杂的扩散，只考虑影响表面粗化速率的上坡和下坡扩散，提出了原子水平上控制表面生长的新方法。
通过引入非晶层，阻碍上坡扩散将上下坡扩散概率比大大降低，进而获得极低的粗化速率，制备出了超光滑的薄膜；通过引入与母体材料不润湿的元素，阻碍下坡扩散将上下坡扩散概率比大大的提高，进而获得了极高的粗化速率，制备出了超粗糙的薄膜。