本发明公开了一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)通过磁控溅射制备Cr/Cu/SmCo/Cr结构的磁性薄膜材料；2)将步骤1)的磁性薄膜材料放入红外退火炉，以5～20℃/s的升温速率将炉内温度升至350～500℃，再保温5～10min。
本发明的制备方法操作简单易控、处理时间短、处理成本低、处理效率高，制备得到的SmCo薄膜的垂直磁各向异性大、磁性能优异。

邱兆国 魏卢 曾德长 郑志刚 洪源

华南理工大学

510640 广东省广州市天河区五山路381号

本发明公开了一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)通过磁控溅射制备Cr/Cu/SmCo/Cr结构的磁性薄膜材料；2)将步骤1)的磁性薄膜材料放入红外退火炉，以5～20℃/s的升温速率将炉内温度升至350～500℃，再保温5～10min。
本发明的制备方法操作简单易控、处理时间短、处理成本低、处理效率高，制备得到的SmCo薄膜的垂直磁各向异性大、磁性能优异。