本发明的目的在于，提供能够得到在宽波长域的范围内显示更低的光吸收特性，且低电阻的氧化物透明导电膜的氧化物烧结体、及氧化物透明导电膜。
一种氧化物烧结体，具有铟、铪、钽及氧作为构成元素，其中，使用在将铟、铪及钽分别用In、Hf及Ta表示时，以原子比计Hf/(In+Hf+Ta)为0.2～3.0at％，Ta/(In+Hf+Ta)为0.02～1.3at％的氧化物烧结体。

秋池良 土田裕也 仓持豪人

东曹株式会社

日本国山口县周南市开成町4560番地

本发明的目的在于，提供能够得到在宽波长域的范围内显示更低的光吸收特性，且低电阻的氧化物透明导电膜的氧化物烧结体、及氧化物透明导电膜。
一种氧化物烧结体，具有铟、铪、钽及氧作为构成元素，其中，使用在将铟、铪及钽分别用In、Hf及Ta表示时，以原子比计Hf/(In+Hf+Ta)为0.2～3.0at％，Ta/(In+Hf+Ta)为0.02～1.3at％的氧化物烧结体。