本发明提供了一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，包括以下步骤：1)在透明基体上涂布光刻胶，然后进行黄光蚀刻图形化；2)将经黄光蚀刻图形化的表面进行等离子处理，使图形化的表面带有活性官能团；例如羧基或者羟基等；3)将步骤2)所得产品浸泡在多胺溶液中，再进行超声清洗使图形化的表面带有氨基；4)将步骤3)所得产品浸泡到金属盐溶液中，然后加入还原试剂进行导电线路的生长，形成导电网络；5)去除剩余的光刻胶，然后进行超声清洗并进行热处理，即可得到透明电磁屏蔽薄膜。
本发明通过图形化线路上引入官能团进而实现晶种的生长制备得到导电网络，最终通过处理得到透明电磁屏蔽薄膜。

王向伟 于志伟 彭锐晖 沙建军 吕永胜 杨高峰 荣先辉

青岛九维华盾科技研究院有限公司

266555 山东省青岛市保税区莫斯科路52号三层318室

本发明提供了一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，包括以下步骤：1)在透明基体上涂布光刻胶，然后进行黄光蚀刻图形化；2)将经黄光蚀刻图形化的表面进行等离子处理，使图形化的表面带有活性官能团；例如羧基或者羟基等；3)将步骤2)所得产品浸泡在多胺溶液中，再进行超声清洗使图形化的表面带有氨基；4)将步骤3)所得产品浸泡到金属盐溶液中，然后加入还原试剂进行导电线路的生长，形成导电网络；5)去除剩余的光刻胶，然后进行超声清洗并进行热处理，即可得到透明电磁屏蔽薄膜。
本发明通过图形化线路上引入官能团进而实现晶种的生长制备得到导电网络，最终通过处理得到透明电磁屏蔽薄膜。