本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法。
相对于组合物的总重量，该银薄膜蚀刻液组合物包含7至15重量％的硝酸、3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、5至15重量％的硫酸盐及余量的水。
该银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。

南基龙 尹暎晋 李原昊

东友精细化工有限公司

韩国全罗北道

本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法。
相对于组合物的总重量，该银薄膜蚀刻液组合物包含7至15重量％的硝酸、3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、5至15重量％的硫酸盐及余量的水。
该银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。