本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物，通过不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，也形成4以上的高pH值，从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中，防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻，使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。

朴相* 吴陈* 金益俊 金希泰 尹景湖 金世训

易安爱富科技有限公司

韩国京畿道

本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物，通过不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，也形成4以上的高pH值，从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中，防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻，使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。