本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物,通过不包含氟系化合物,且即使不使用pH值调节剂,也形成4以上的高pH值,从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中,防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻,使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。
朴相* 吴陈* 金益俊 金希泰 尹景湖 金世训
易安爱富科技有限公司
韩国京畿道
本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物,通过不包含氟系化合物,且即使不使用pH值调节剂,也形成4以上的高pH值,从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中,防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻,使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。