本申请公开了一种金属线层的蚀刻液组合物，其包括过氧化氢、唑类、含氟化合物、醇胺类化合物、无机酸、有机酸或其酸式盐、表面活性剂及水。
本申请还公开了一种所述金属线层的蚀刻液组合物在阵列基板中的应用。
本发明提供的是一种能够同时蚀刻金属线和氧化物半导体层的刻蚀液组合物，用以一次性湿蚀刻阵列基板中的金属线层和置于金属线下方的氧化物活性层，成功将传统的两次湿蚀刻制程缩减成一道湿蚀刻，大大节省了机台和蚀刻液投入成本，提高了面板制造的生产节拍和效率。

刘净

TCL华星光电技术有限公司

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

本申请公开了一种金属线层的蚀刻液组合物，其包括过氧化氢、唑类、含氟化合物、醇胺类化合物、无机酸、有机酸或其酸式盐、表面活性剂及水。
本申请还公开了一种所述金属线层的蚀刻液组合物在阵列基板中的应用。
本发明提供的是一种能够同时蚀刻金属线和氧化物半导体层的刻蚀液组合物，用以一次性湿蚀刻阵列基板中的金属线层和置于金属线下方的氧化物活性层，成功将传统的两次湿蚀刻制程缩减成一道湿蚀刻，大大节省了机台和蚀刻液投入成本，提高了面板制造的生产节拍和效率。