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专利摘要

一种用于生产太阳能电池的多晶硅片的制造方法,是将熔融的硅熔体浸润到一个耐高温面,硅熔体在耐高温面上结晶成多晶硅片,硅片的厚度由结晶的时间来控制。
它是一种使熔融状态的硅直接结晶成薄片硅的方法,因此可以提高硅材料的利用率,可以制造出200微米以下厚度的硅片,从而降低太阳能电池的成本。

专利状态

基础信息

专利号
CN200710044945.3
申请日
2007-08-16
公开日
2009-02-18
公开号
CN101368291A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
暂失效-视为撤回

发明人

陈科

申请人

陈科

申请人地址

200434上海市虹口区凉城路1188弄4号1402室

专利摘要

一种用于生产太阳能电池的多晶硅片的制造方法,是将熔融的硅熔体浸润到一个耐高温面,硅熔体在耐高温面上结晶成多晶硅片,硅片的厚度由结晶的时间来控制。
它是一种使熔融状态的硅直接结晶成薄片硅的方法,因此可以提高硅材料的利用率,可以制造出200微米以下厚度的硅片,从而降低太阳能电池的成本。

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