一种制备InSeI单晶体的方法 下载此专利PDF版本

CN202010962172.2 单晶体 制备 方法

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专利摘要

本发明涉及一种制备InSeI单晶体的方法，包括：（1）以单质In、单质Se和单质I

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN202010962172.2
申请日
2020-09-14
公开日
2021-07-13
公开号
CN112064116B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

程国峰 周玄 尹晗迪 阮音捷 孙玥

申请人

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址

200050 上海市长宁区定西路1295号

专利摘要

本发明涉及一种制备InSeI单晶体的方法，包括：（1）以单质In、单质Se和单质I

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