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专利摘要

本发明提供了一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其节省了测温材料,且测温方便快捷,节约了操作时间、降低了操作难度。
其在炉体的侧壁上沿着其石英管的排布方向顺次布置若干个测量孔,每个测量孔分别连通所述炉体的内腔,之后将测温传感器的测温端插装于对应的测量孔内置于炉体的对应内腔的位置。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010529543.8
申请日
2020-06-11
公开日
2020-08-11
公开号
CN111519246A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

易德福

申请人

江西德义半导体科技有限公司

申请人地址

344000 江西省抚州市金柅大道198号创业园A7栋3楼

专利摘要

本发明提供了一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其节省了测温材料,且测温方便快捷,节约了操作时间、降低了操作难度。
其在炉体的侧壁上沿着其石英管的排布方向顺次布置若干个测量孔,每个测量孔分别连通所述炉体的内腔,之后将测温传感器的测温端插装于对应的测量孔内置于炉体的对应内腔的位置。

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