本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。
通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。

杨海燕 胡尚正 田震 曹鹏飞 王利军

中国电子科技集团公司第十一研究所

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。
通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。