本发明提供了一种碳化硅晶体生长方法及装置，该方法包括:(1)组装阶段：(2)升华阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体的内壁之间无空隙，第一坩埚与第二坩埚隔断，加热使得碳化硅原料升华；(3)长晶阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体的内壁之间有空隙，第二坩埚通过空隙与第一坩埚连通，加热使得碳化硅原料气氛穿过空隙传输至籽晶进行长晶。
通过控制多个隔板的转动，使得第一坩埚与第二坩埚隔断，碳化硅原料升华的气氛不能向上传输，避免生长前期不稳定气氛形成影响晶体质量的缺陷及对籽晶的破坏及污染，且隔板阻断了原料向籽晶的热辐射，避免了除杂时由于没有碳化硅气氛补充时导致的籽晶表面升华。

舒天宇 王宗玉 梁庆瑞 张红岩 姜岩鹏

山东天岳先进科技股份有限公司

250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

本发明提供了一种碳化硅晶体生长方法及装置，该方法包括:(1)组装阶段：(2)升华阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体的内壁之间无空隙，第一坩埚与第二坩埚隔断，加热使得碳化硅原料升华；(3)长晶阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体的内壁之间有空隙，第二坩埚通过空隙与第一坩埚连通，加热使得碳化硅原料气氛穿过空隙传输至籽晶进行长晶。
通过控制多个隔板的转动，使得第一坩埚与第二坩埚隔断，碳化硅原料升华的气氛不能向上传输，避免生长前期不稳定气氛形成影响晶体质量的缺陷及对籽晶的破坏及污染，且隔板阻断了原料向籽晶的热辐射，避免了除杂时由于没有碳化硅气氛补充时导致的籽晶表面升华。