本申请属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法。
本发明所提供的制备方法包括：a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混匀，得到混合粉末；将混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底水平放置于第一衬底上，混合粉末夹在第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；b)将反应体系置于石英载体上，然后将石英载体防止在石英管的加热部，封闭石英管；c)将石英管靠近混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热石英管的加热部，自然冷却，即得。
由其制得的硫硒化亚锡二维半导体材料在保留单一材料优良的光电特性的同时，还具有单一材料所不具有的能带调控优点。

黎永涛 高伟 牟中飞 李京波

广东工业大学

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号

本申请属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法。
本发明所提供的制备方法包括：a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混匀，得到混合粉末；将混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底水平放置于第一衬底上，混合粉末夹在第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；b)将反应体系置于石英载体上，然后将石英载体防止在石英管的加热部，封闭石英管；c)将石英管靠近混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热石英管的加热部，自然冷却，即得。
由其制得的硫硒化亚锡二维半导体材料在保留单一材料优良的光电特性的同时，还具有单一材料所不具有的能带调控优点。