本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板进行热处理，其中所述熔剂由与所述目标物质之间形成共晶但不形成化合物的物质构成。
通过固相反应即固相扩散，目标物质和熔剂相混合而形成共晶状态的液相，目标物质从该液相析出并在基板上进行外延生长。

鲤沼秀臣 松本祐司 高桥龙太

独立行政法人;科学技术振兴机构

日本埼玉县

本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板进行热处理，其中所述熔剂由与所述目标物质之间形成共晶但不形成化合物的物质构成。
通过固相反应即固相扩散，目标物质和熔剂相混合而形成共晶状态的液相，目标物质从该液相析出并在基板上进行外延生长。