本发明公开了一种生长单层磷化硅晶体的方法，包括以下步骤：准备石英管，石英管的两端分别为原料端和基底端，在石英管的基底端内放置一基底，在石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对石英管进行抽真空，抽真空后密封石英管，其中，原材料为单质硅和红磷的混合物，输运剂为单质碘；对石英管的原料端和基底端同时加热5～36h，加热后随炉冷却至室温20～25℃，在基底上得到单层磷化硅晶体，其中，原料端的加热温度为1000～1150℃，基底端的加热温度为600～950℃。
本发明利用化学气相输运法第一次实现了单层磷化硅二维晶体的生长，既是生长单层SiP二维晶体的巨大突破，也为化学气相输运法生二维晶体材料提供有利支撑。

邱海龙 武羽 胡章贵

天津理工大学

300384 天津市西青区宾水西道391号

本发明公开了一种生长单层磷化硅晶体的方法，包括以下步骤：准备石英管，石英管的两端分别为原料端和基底端，在石英管的基底端内放置一基底，在石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对石英管进行抽真空，抽真空后密封石英管，其中，原材料为单质硅和红磷的混合物，输运剂为单质碘；对石英管的原料端和基底端同时加热5～36h，加热后随炉冷却至室温20～25℃，在基底上得到单层磷化硅晶体，其中，原料端的加热温度为1000～1150℃，基底端的加热温度为600～950℃。
本发明利用化学气相输运法第一次实现了单层磷化硅二维晶体的生长，既是生长单层SiP二维晶体的巨大突破，也为化学气相输运法生二维晶体材料提供有利支撑。