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专利摘要

本发明涉及材料科学技术领域,且公开了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,包括以下步骤:步骤一:准备工作:预备透射电子显微镜,以及用于对CVD钻石进行固定的装置,将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内,用于预备使用,并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工,检验设备是否出现问题,透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热;步骤二:固定材料的准备工作:对CVD钻石晶片进行加热,并采用氮原子测定专用的高精度机器,对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定,单位需要精确到个位。
该提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010256294.X
申请日
2020-04-02
公开日
2020-06-12
公开号
CN111268674A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

赵芬霞 刘宏明

申请人

湖州中芯半导体科技有限公司

申请人地址

313000 浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号

专利摘要

本发明涉及材料科学技术领域,且公开了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,包括以下步骤:步骤一:准备工作:预备透射电子显微镜,以及用于对CVD钻石进行固定的装置,将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内,用于预备使用,并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工,检验设备是否出现问题,透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热;步骤二:固定材料的准备工作:对CVD钻石晶片进行加热,并采用氮原子测定专用的高精度机器,对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定,单位需要精确到个位。
该提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。

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