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专利摘要

一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的装置,包括真空室及设于真空室顶部的电子枪,真空室的内部设有工作台,工作台上设有绝缘板,绝缘板上设有金属基板,金属基板上设有碳聚合物薄膜;碳聚合物薄膜外侧至真空室内侧顶部的电子束流输出口的区域笼罩有碳粉吸附罩,碳粉吸附罩包括内层和外层,内层和外层之间设有多个绝缘陶瓷块,内层接地,外层与第一直流电源电性连接,以使内层和外层之间形成第一吸附静电场,该第一吸附静电场用于吸附电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜过程中产生的碳粉。
本发明通过碳粉吸附罩可以最大限度吸附加工过程产生的碳粉,有效防止加工过程产生的碳粉对电子枪和真空室的污染,提高设备的使用寿命。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010979553.1
申请日
2020-09-17
公开日
2020-12-29
公开号
CN112144123A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

许海鹰

申请人

中国航空制造技术研究院

申请人地址

100024 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号

专利摘要

一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的装置,包括真空室及设于真空室顶部的电子枪,真空室的内部设有工作台,工作台上设有绝缘板,绝缘板上设有金属基板,金属基板上设有碳聚合物薄膜;碳聚合物薄膜外侧至真空室内侧顶部的电子束流输出口的区域笼罩有碳粉吸附罩,碳粉吸附罩包括内层和外层,内层和外层之间设有多个绝缘陶瓷块,内层接地,外层与第一直流电源电性连接,以使内层和外层之间形成第一吸附静电场,该第一吸附静电场用于吸附电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜过程中产生的碳粉。
本发明通过碳粉吸附罩可以最大限度吸附加工过程产生的碳粉,有效防止加工过程产生的碳粉对电子枪和真空室的污染,提高设备的使用寿命。

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