本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种晶体与晶体托的分离方法，其特征在于，将需要分离的晶体及与其固定的晶体托放入高温氧化炉中，向所述高温氧化炉中通入含氧气体，进行碳氧化反应，即可将晶体与晶体托分离。
本申请提供的晶体与晶体托的分离方法，利用高温将固态石墨氧化为气态的二氧化碳，从而成功分离生长后的晶体和石墨。
本申请的晶体与晶体托的分离方法简单易行，成本低。
采用非机械方法分离晶体与晶体托，减少了传统方法所带来的风险。
本申请的分离方法对晶体自身无损，简单有效。

刘欣宇 袁振洲

江苏超芯星半导体有限公司

225000 江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋

本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种晶体与晶体托的分离方法，其特征在于，将需要分离的晶体及与其固定的晶体托放入高温氧化炉中，向所述高温氧化炉中通入含氧气体，进行碳氧化反应，即可将晶体与晶体托分离。
本申请提供的晶体与晶体托的分离方法，利用高温将固态石墨氧化为气态的二氧化碳，从而成功分离生长后的晶体和石墨。
本申请的晶体与晶体托的分离方法简单易行，成本低。
采用非机械方法分离晶体与晶体托，减少了传统方法所带来的风险。
本申请的分离方法对晶体自身无损，简单有效。