本发明公开了一种自钳位IGBT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在IGBT芯片上制作第一打线窗口；在第一芯片上制作第二打线窗口和第三打线窗口；将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面；将所述第一打线窗口和所述第二打线窗口进行打线连接，并将所述第三打线窗口和所述IGBT芯片的栅极进行打线连接。
本发明在不需要调整IGBT芯片及晶体管(如二极管)的设计规则及工艺的条件下，大大地降低了制造工艺难度，降低了器件的设计要求，提高了IGBT芯片和晶体管芯片结构设计及加工自由度，且在实现自钳位保护功能的同时也保证了IGBT有源区面积不损失；另外，制造流程具有一定的通用性，另外也简化了制造流程。

孙永生 钟圣荣 周东飞

上海贝岭股份有限公司

200233 上海市徐汇区宜山路810号

本发明公开了一种自钳位IGBT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在IGBT芯片上制作第一打线窗口；在第一芯片上制作第二打线窗口和第三打线窗口；将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面；将所述第一打线窗口和所述第二打线窗口进行打线连接，并将所述第三打线窗口和所述IGBT芯片的栅极进行打线连接。
本发明在不需要调整IGBT芯片及晶体管(如二极管)的设计规则及工艺的条件下，大大地降低了制造工艺难度，降低了器件的设计要求，提高了IGBT芯片和晶体管芯片结构设计及加工自由度，且在实现自钳位保护功能的同时也保证了IGBT有源区面积不损失；另外，制造流程具有一定的通用性，另外也简化了制造流程。