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专利摘要

本发明提供了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件,其板极引出部的至少一个接触孔外围的上极板材料层的上表面上形成有环形阻挡结构,所述环形阻挡结构包括凸起和/或凹槽,相应的接触焊盘填充于所述接触孔中并延伸到所述环形阻挡结构上,且至少覆盖环形阻挡结构的凸起远离接触孔的一侧的侧壁或者至少覆盖环形阻挡结构的凹槽靠近所述接触孔的一侧的侧壁,由此一方面利用环形阻挡结构增大了接触焊盘的边缘与下方膜层的接触面积,另一方面利用环形阻挡结构使得接触焊盘的边缘起伏不平,因此,可以使得接触焊盘能够阻挡湿法刻蚀液渗入到接触孔底部,防止接触孔底部的材料被电化学腐蚀,提高器件性能。

专利状态

基础信息

专利号
CN202110072164.5
申请日
2021-01-20
公开日
2021-05-14
公开号
CN112408312B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

徐希锐 魏丹珠 鲁列微

申请人

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

申请人地址

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

专利摘要

本发明提供了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件,其板极引出部的至少一个接触孔外围的上极板材料层的上表面上形成有环形阻挡结构,所述环形阻挡结构包括凸起和/或凹槽,相应的接触焊盘填充于所述接触孔中并延伸到所述环形阻挡结构上,且至少覆盖环形阻挡结构的凸起远离接触孔的一侧的侧壁或者至少覆盖环形阻挡结构的凹槽靠近所述接触孔的一侧的侧壁,由此一方面利用环形阻挡结构增大了接触焊盘的边缘与下方膜层的接触面积,另一方面利用环形阻挡结构使得接触焊盘的边缘起伏不平,因此,可以使得接触焊盘能够阻挡湿法刻蚀液渗入到接触孔底部,防止接触孔底部的材料被电化学腐蚀,提高器件性能。

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