本发明提供了一种制备纳米孔阵列结构的方法，包括：在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理以在基底表面形成纳米孔阵列结构的工序，所述对图形刻蚀层进行处理包括图案掩膜层制作工序和图案刻蚀工序；以基底表面的纳米孔阵列结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。
本发明方法可以快速高效、大面积制备纳米孔阵列结构，成本低廉。

黄广飞 张渊 胡治朋 朱圣科 刘柳

华南师范大学

510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学理5栋

本发明提供了一种制备纳米孔阵列结构的方法，包括：在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理以在基底表面形成纳米孔阵列结构的工序，所述对图形刻蚀层进行处理包括图案掩膜层制作工序和图案刻蚀工序；以基底表面的纳米孔阵列结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。
本发明方法可以快速高效、大面积制备纳米孔阵列结构，成本低廉。