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专利摘要

本发明公开了一种在柔性衬底上构筑表面粗糙化的PS球阵列的方法,包括步骤:超洁净玻璃基底的获取;柔性衬底上六方密排单层PS球的获取;表面粗糙化的PS球阵列的获取。
利用反应离子刻蚀的方法,在柔性衬底上直接粗糙化PS球表面,得到了一种表面呈现微纳米结构的PS球阵列,该阵列的表面具有微纳米结构的特征。
相较与其它的制备方案,该方案制作流程更为简单,表面形貌可控,PS球尺寸大小可控,且成分较为均一,此外该柔性衬底可以折叠,便于携带,成本较为低廉且能够大规模制备,实现批量生产制造。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811622327.7
申请日
2018-12-28
公开日
2019-06-07
公开号
CN109851832A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘广强 张鹏 蔡伟平

申请人

中国科学院合肥物质科学研究院

申请人地址

230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

专利摘要

本发明公开了一种在柔性衬底上构筑表面粗糙化的PS球阵列的方法,包括步骤:超洁净玻璃基底的获取;柔性衬底上六方密排单层PS球的获取;表面粗糙化的PS球阵列的获取。
利用反应离子刻蚀的方法,在柔性衬底上直接粗糙化PS球表面,得到了一种表面呈现微纳米结构的PS球阵列,该阵列的表面具有微纳米结构的特征。
相较与其它的制备方案,该方案制作流程更为简单,表面形貌可控,PS球尺寸大小可控,且成分较为均一,此外该柔性衬底可以折叠,便于携带,成本较为低廉且能够大规模制备,实现批量生产制造。

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