本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。
本发明提供的真空封装工艺，利用硅‑玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。

裴彬彬 孙珂 杨恒 豆传国 李昕欣

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。
本发明提供的真空封装工艺，利用硅‑玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。