本发明涉及一种多传感器的协同制造工艺流程，其具体制备工艺流程如下：S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SOI顶层硅为n型掺杂；S2、进行两次正面离子注入；S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀；S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀；S8、对MEMS于CMOS三位集成；本发明具有协同效果好、制造简便的优点。

赵敏

河南汇纳科技有限公司

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本发明涉及一种多传感器的协同制造工艺流程，其具体制备工艺流程如下：S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SOI顶层硅为n型掺杂；S2、进行两次正面离子注入；S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀；S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀；S8、对MEMS于CMOS三位集成；本发明具有协同效果好、制造简便的优点。