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专利摘要

本公开的实施例提供了一种硅麦克风及其制作方法和电子设备,涉及半导体领域。
制作方法包括在贴装有麦克风芯片的基板上设置保护罩,以将麦克风芯片罩在保护罩内;对基板和保护罩进行切割或冲压,以形成单颗的硅麦克风,并在保护罩的断面处露出连通保护罩内部和外部的传音孔。
该制作方法能够在切割或冲压形成单粒的硅麦克风时,同时形成传音孔,不需要单独形成。
这样节约了工艺的步骤,提高了制作硅麦克风的效率。
此外,所形成的的硅麦克风的传音孔位于保护罩的一侧,有利于保护麦克风芯片。
本公开提供的硅麦克风由上述的制作方法制得;本公开提供的电子设备包括上述方法制得的硅麦克风。

专利状态

基础信息

专利号
CN202110190866.3
申请日
2021-02-20
公开日
2021-05-04
公开号
CN112566006B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

孙成富 钟磊 何正鸿

申请人

甬矽电子(宁波)股份有限公司

申请人地址

315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

专利摘要

本公开的实施例提供了一种硅麦克风及其制作方法和电子设备,涉及半导体领域。
制作方法包括在贴装有麦克风芯片的基板上设置保护罩,以将麦克风芯片罩在保护罩内;对基板和保护罩进行切割或冲压,以形成单颗的硅麦克风,并在保护罩的断面处露出连通保护罩内部和外部的传音孔。
该制作方法能够在切割或冲压形成单粒的硅麦克风时,同时形成传音孔,不需要单独形成。
这样节约了工艺的步骤,提高了制作硅麦克风的效率。
此外,所形成的的硅麦克风的传音孔位于保护罩的一侧,有利于保护麦克风芯片。
本公开提供的硅麦克风由上述的制作方法制得;本公开提供的电子设备包括上述方法制得的硅麦克风。

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