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专利摘要

本申请实施例提供了一种多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法,多功能半导体封装结构包括基板、MEMS芯片、金属盖、射频芯片、塑封体和天线;所述MEMS芯片位于所述基板的一侧;所述金属盖和所述MEMS芯片位于所述基板同一侧,所述金属盖用于保护所述MEMS芯片并形成容置所述MEMS芯片的空腔;所述射频芯片位于所述金属盖远离所述MEMS芯片的一侧;所述塑封体和所述金属盖位于所述基板同一侧,所述塑封体用于保护所述射频芯片、所述金属盖和所述基板;所述天线位于所述塑封体的表面。
通过上述设置,能够实现半导体封装结构的多功能化。

专利状态

基础信息

专利号
CN202110190861.0
申请日
2021-02-20
公开日
2021-05-04
公开号
CN112551476B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

孙成富 钟磊 何正鸿

申请人

甬矽电子(宁波)股份有限公司

申请人地址

315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

专利摘要

本申请实施例提供了一种多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法,多功能半导体封装结构包括基板、MEMS芯片、金属盖、射频芯片、塑封体和天线;所述MEMS芯片位于所述基板的一侧;所述金属盖和所述MEMS芯片位于所述基板同一侧,所述金属盖用于保护所述MEMS芯片并形成容置所述MEMS芯片的空腔;所述射频芯片位于所述金属盖远离所述MEMS芯片的一侧;所述塑封体和所述金属盖位于所述基板同一侧,所述塑封体用于保护所述射频芯片、所述金属盖和所述基板;所述天线位于所述塑封体的表面。
通过上述设置,能够实现半导体封装结构的多功能化。

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