本发明公开一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪，所述方法包括：采用硅基薄膜生长刻蚀技术在硅衬底上形成多晶硅层和介质层的夹心结构；采用硅通孔TSV技术在晶圆上形成微观流体通道；采用静电释放ESD在介质层中形成介质层针孔；采用湿法刻蚀对介质层针孔刻蚀形成贯穿介质层到微观流体通道的悬空纳米级针孔。
通过本发明实施例，以硅基半导体晶圆制造技术为依托，使硅基固态纳米孔的制备可以和CMOS集成电路制造技术兼容，并为批量的CMOS和固态纳米孔集成提供了制造技术；并且，采用本实施例的固态纳米孔来进行DNA和/或RNA测序，可以极大地提高了纳米孔测序的成功率，从而可以大大缩短测序的时间。

莫晖 张新联 高振兵 尹良超

深圳市儒翰基因科技有限公司

518000 广东省深圳市南山区粤海街道麻岭社区科研路9号比克科技大厦701701E

本发明公开一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪，所述方法包括：采用硅基薄膜生长刻蚀技术在硅衬底上形成多晶硅层和介质层的夹心结构；采用硅通孔TSV技术在晶圆上形成微观流体通道；采用静电释放ESD在介质层中形成介质层针孔；采用湿法刻蚀对介质层针孔刻蚀形成贯穿介质层到微观流体通道的悬空纳米级针孔。
通过本发明实施例，以硅基半导体晶圆制造技术为依托，使硅基固态纳米孔的制备可以和CMOS集成电路制造技术兼容，并为批量的CMOS和固态纳米孔集成提供了制造技术；并且，采用本实施例的固态纳米孔来进行DNA和/或RNA测序，可以极大地提高了纳米孔测序的成功率，从而可以大大缩短测序的时间。