本发明属于场效应晶体管领域，具体涉及一种亚纳米顶栅电极场效应晶体管的可控制备方法，包括以下步骤：在金属纳米颗粒二聚体表面转移隔离层；在隔离层覆盖吸收层和透光层；利用脉冲激光垂直照射透光层；得到亚十纳米沟道的金属电极；将二维材料和高k栅介质材料转移到金属电极；将基片沉积的金属层和二维材料层转移到柔性衬底；将柔性衬底切成小块；将柔性衬底小块用柔性高分子材料包裹，切成薄片；将薄片转移到高k栅介质材料，留下的金属作为亚纳米顶栅电极。
本发明的方法操作简单，能突破传统曝光技术的限制，打破制造亚十纳米沟道的技术壁垒，降低晶体管的生产成本，提高晶体管的性能，为推动超短沟道场效应晶体管的发展提供了一条新的道路。

胡耀武 黄正 何亚丽

武汉大学

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

本发明属于场效应晶体管领域，具体涉及一种亚纳米顶栅电极场效应晶体管的可控制备方法，包括以下步骤：在金属纳米颗粒二聚体表面转移隔离层；在隔离层覆盖吸收层和透光层；利用脉冲激光垂直照射透光层；得到亚十纳米沟道的金属电极；将二维材料和高k栅介质材料转移到金属电极；将基片沉积的金属层和二维材料层转移到柔性衬底；将柔性衬底切成小块；将柔性衬底小块用柔性高分子材料包裹，切成薄片；将薄片转移到高k栅介质材料，留下的金属作为亚纳米顶栅电极。
本发明的方法操作简单，能突破传统曝光技术的限制，打破制造亚十纳米沟道的技术壁垒，降低晶体管的生产成本，提高晶体管的性能，为推动超短沟道场效应晶体管的发展提供了一条新的道路。