本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；第一斜坡凹槽的斜坡面和第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面；制备包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元的第二半导体结构；采用键合工艺，将第一半导体结构设置在第二半导体结构之上；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在第一半导体结构的第一表面侧制备上电极、第一下电极和第二下电极。
本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。

焦继伟 刘京 费跃 陈思奇

上海芯物科技有限公司

201800 上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层

本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；第一斜坡凹槽的斜坡面和第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面；制备包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元的第二半导体结构；采用键合工艺，将第一半导体结构设置在第二半导体结构之上；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在第一半导体结构的第一表面侧制备上电极、第一下电极和第二下电极。
本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。