本发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上键合石英玻璃，并对所述石英玻璃进行减薄；在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层；在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层；形成光刻胶并进行光刻图形化；以所述图形化后的光刻胶为掩膜，采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀；湿法去除光刻胶；以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜，采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀，其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水，并且pH值介于6～8之间。
本发明优化了工艺流程步骤，有效降低了生产成本。

许开东

江苏鲁汶仪器有限公司

221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号

本发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上键合石英玻璃，并对所述石英玻璃进行减薄；在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层；在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层；形成光刻胶并进行光刻图形化；以所述图形化后的光刻胶为掩膜，采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀；湿法去除光刻胶；以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜，采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀，其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水，并且pH值介于6～8之间。
本发明优化了工艺流程步骤，有效降低了生产成本。