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专利摘要

本发明提供一种微流芯片的制造方法,包括:提供衬底和盖片;在所述衬底上设置第一标记;在所述盖片上设置第二标记;在衬底上形成微流柱组和沟槽;将第一标记和第二标记对准;得到键合结构,所述微流柱组与所述盖片构成微流道;利用混合切割工艺对所述键合结构进行切割以得到独立的微流芯片。
进一步的,本发明还提供一种微流芯片,包括:形成有微流柱组和沟槽的衬底和键合在所述衬底上的盖片。
在本发明中,设置第一标记和第二标记并将二者对准以使所述衬底和所述盖片的晶向能够保持一致,再利用混合切割工艺切割可以避免碎屑杂质堵塞芯片内部的微流道的情况,提高了微流芯片的制造良率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011196145.5
申请日
2020-11-02
公开日
2021-02-02
公开号
CN112295623A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

范谦 曹荣兵 倪贤锋 华斌 顾星

申请人

苏州汉骅半导体有限公司

申请人地址

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室

专利摘要

本发明提供一种微流芯片的制造方法,包括:提供衬底和盖片;在所述衬底上设置第一标记;在所述盖片上设置第二标记;在衬底上形成微流柱组和沟槽;将第一标记和第二标记对准;得到键合结构,所述微流柱组与所述盖片构成微流道;利用混合切割工艺对所述键合结构进行切割以得到独立的微流芯片。
进一步的,本发明还提供一种微流芯片,包括:形成有微流柱组和沟槽的衬底和键合在所述衬底上的盖片。
在本发明中,设置第一标记和第二标记并将二者对准以使所述衬底和所述盖片的晶向能够保持一致,再利用混合切割工艺切割可以避免碎屑杂质堵塞芯片内部的微流道的情况,提高了微流芯片的制造良率。

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