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专利摘要

本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。
所述微机电系统装置包括介电结构,介电结构设置在第一半导体衬底之上,其中介电结构至少局部地界定空腔。
第二半导体衬底设置在介电结构之上。
所述第二半导体衬底包括可移动体,其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。
防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间,其中防粘连结构是第一硅系半导体。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911175794.4
申请日
2019-11-26
公开日
2021-02-02
公开号
CN112299362A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

张贵松 郑钧文 赖飞龙 潘兴强 谢元智 王怡人

申请人

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

专利摘要

本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。
所述微机电系统装置包括介电结构,介电结构设置在第一半导体衬底之上,其中介电结构至少局部地界定空腔。
第二半导体衬底设置在介电结构之上。
所述第二半导体衬底包括可移动体,其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。
防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间,其中防粘连结构是第一硅系半导体。

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