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专利摘要

本发明适用于微机电系统领域,提供了一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用,该多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法包括以下步骤:在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜;干法刻蚀所述类金刚石薄膜后,再在其表面生长二氧化硅层;利用CF

专利状态

基础信息

专利号
CN202011224898.2
申请日
2020-11-05
公开日
2021-02-09
公开号
CN112340695A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

李新 吴沛珊 肖淼

申请人

沈阳工业大学

申请人地址

110000 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈阳工业大学

专利摘要

本发明适用于微机电系统领域,提供了一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用,该多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法包括以下步骤:在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜;干法刻蚀所述类金刚石薄膜后,再在其表面生长二氧化硅层;利用CF

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