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专利摘要

本发明公开了一种硅基微针阵列贴片的制备方法,所述的制备方法以下步骤:S.1在硅片背面涂敷光刻胶;S.2将硅片进行烘烤;S.3光刻曝光,显影,制备孔阵列;S.4深硅刻蚀,在硅片中形成深孔;S.5在硅片正面通过电子束蒸发覆盖一层铝膜;S.6在硅片正面涂敷光刻胶;S.7将硅片进行烘烤;S.8光刻曝光,显影,制备光刻胶圆柱阵列;S.9浸入铝腐蚀液,去除多余铝膜,漂洗干净;S.10深硅刻蚀,以铝为刻蚀模板,刻蚀硅片得到硅针尖毛坯阵列;S.11去除光刻胶,铝膜;S.12将硅片浸入腐蚀液,得到硅基微针阵列。
本发明具有如下有益效果:(1)制备工艺大大简化,加工简单;(2)微孔偏离针尖的正中心,穿刺能力增强;(3)方便后期二次加工。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810332180.1
申请日
2018-04-13
公开日
2018-11-06
公开号
CN108751120A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张鉴 张雪峰 姚小莉 邓萌萌

申请人

杭州电子科技大学

申请人地址

310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区

专利摘要

本发明公开了一种硅基微针阵列贴片的制备方法,所述的制备方法以下步骤:S.1在硅片背面涂敷光刻胶;S.2将硅片进行烘烤;S.3光刻曝光,显影,制备孔阵列;S.4深硅刻蚀,在硅片中形成深孔;S.5在硅片正面通过电子束蒸发覆盖一层铝膜;S.6在硅片正面涂敷光刻胶;S.7将硅片进行烘烤;S.8光刻曝光,显影,制备光刻胶圆柱阵列;S.9浸入铝腐蚀液,去除多余铝膜,漂洗干净;S.10深硅刻蚀,以铝为刻蚀模板,刻蚀硅片得到硅针尖毛坯阵列;S.11去除光刻胶,铝膜;S.12将硅片浸入腐蚀液,得到硅基微针阵列。
本发明具有如下有益效果:(1)制备工艺大大简化,加工简单;(2)微孔偏离针尖的正中心,穿刺能力增强;(3)方便后期二次加工。

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