本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法,包括以下步骤:MEMS衬底晶圆制作;将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合;去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层,通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构,得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆;制备第一盖帽;第一次真空封装;在第一盖帽刻蚀透气孔;第二次真空封装;该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求,容易实施,且过程可控。
王帆 宋东方 王得收 喻磊 周魁
华东光电集成器件研究所
233030 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号
本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法,包括以下步骤:MEMS衬底晶圆制作;将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合;去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层,通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构,得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆;制备第一盖帽;第一次真空封装;在第一盖帽刻蚀透气孔;第二次真空封装;该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求,容易实施,且过程可控。